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瞻芯电子获评“上海市创新型企业总部”称号，龚正市长现场授牌

瞻芯电子获评“上海市创新型企业总部”称号，龚正市长现场授牌

4 月 28 日，上海市委副书记、市长龚正出席第三批上海市创新型企业总部授牌仪式，向包括上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称“瞻芯电子”）在内的44家创新型企业总部授牌。瞻芯电子副总经理黄海涛代表公司领取荣誉牌匾。 图1：龚正市长为瞻芯电子等企业授牌 “上海市创新型企... （来源：新闻频道）

碳化硅（SiC）功率半导体瞻芯电子模拟芯片 2026-4-29 16:03

机构：SiC功率加速爆发，中国厂商正在重塑供应链

机构：SiC功率加速爆发，中国厂商正在重塑供应链

Yole Group每季度发布《Power SiC/GaN Compound Semiconductor Market Monitor》报告，持续追踪SiC和GaN在功率电子领域的最新进展。随着各行各业电气化进程的加速，以及AI数据中心的快速扩张，化合物半导体市场正在迎来新一轮增长动力。 预计在未来五年内，SiC功率和GaN功率市场规模合计将超过140亿... （来源：技术文章频道）

SiC功率 2026-3-30 10:17

Wolfspeed 推出业界首款可商用 10kV SiC 功率 MOSFET，为 AI 数据中心电网提供关键支撑

Wolfspeed 推出业界首款可商用 10kV SiC 功率 MOSFET，为 AI 数据中心电网提供关键支撑

Wolfspeed 本周（3 月 5 日）推出业界首款可商用 10kV SiC 功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），将高压电力电子系统设计赋予更大的架构自由度，为 AI 数据中心电网等场景提供关键支撑。 据介绍，这款产品可以在 20V 栅极偏置电压下达到 158000 年寿命，能够在使用体二极管（注：body-... （来源：新品频道）

Wolfspeed SiC 功率 MOSFET 2026-3-9 09:24

从制造到创造：泰克以本土生态闭环赋能硬科技突围

从制造到创造：泰克以本土生态闭环赋能硬科技突围

崭新的2026年正处于科技变革的新时代，中国以 “新型工业化” 为锚点，在半导体、新能源汽车、人工智能数据中心等关键领域加速突破。 作为深耕中国市场四十余年的测试与测量领域先行者，泰克科技始终秉持 “在中国，为中国” 的战略初心，融合”本地制造“的快捷高效... （来源：新闻频道）

泰克 硬科技 测试 测量 2026-1-23 11:02

从分立器件到集成模块，安森美全链路提升UPS功率密度与效率

从分立器件到集成模块，安森美全链路提升UPS功率密度与效率

作者：安森美   20 世纪不间断电源（UPS）刚问世时，其唯一用途是在停电时提供应急供电，而高昂的成本限制了它的应用范围。如今，随着电力电子技术的持续发展，UPS 已能够高效优化电能质量、过滤线路噪声、抑制电压浪涌，并可在任意场景下按需提供更长时间的备用电源。在低碳社会背景下，低... （来源：技术文章频道）

分立器件集成模块安森美UPS 2025-12-22 13:05

从分立器件到集成模块，安森美全链路提升UPS功率密度与效率

从分立器件到集成模块，安森美全链路提升UPS功率密度与效率

作者：安森美   20 世纪不间断电源（UPS）刚问世时，其唯一用途是在停电时提供应急供电，而高昂的成本限制了它的应用范围。如今，随着电力电子技术的持续发展，UPS 已能够高效优化电能质量、过滤线路噪声、抑制电压浪涌，并可在任意场景下按需提供更长时间的备用电源。在低碳社会背景下，低... （来源：技术文章频道）

分立器件集成模块安森美 2025-12-19 13:11

工业应用中直流微电网的潜力释放

工业应用中直流微电网的潜力释放

随着对能源效率、可再生能源整合和技术进步的需求不断增加，电力领域正在经历一场重大变革。一个多世纪以来，交流电源一直是主要的配电形式;它在长距离输电过程中能保持较高的效率，并且能够轻松地调节到不同的电压等级。然而，随着分布式能源的兴起、对能量流动控制的需求以及为降低系统损耗而进行的电... （来源：技术文章频道）

直流微电网电源能源 2025-8-13 09:19

SiC MOSFET 利用快速关断方法实现短路保护

短路原点电源转换系统中的 SC 事件可能由多种原因引起，包括电缆操作、负载故障、绝缘材料老化、组件故障和设计错误。电源应用可以包括不同的保护机制以提高其可靠性。负载引起的高电感 SC 事件通常通过软件中编程的电流限制和阈值电压进行管理。另一方面，低电感短路需要栅极驱动板中包含硬件保护。栅... （来源：技术文章频道）

SiC MOSFET短路保护 2024-12-25 10:41

碳化硅肖特基二极管的设计与优化

碳化硅肖特基二极管的设计与优化

为什么 SiC 功率芯片更小？功率芯片的大小直接由单位面积的导通电阻决定，而导通电阻主要由作为功能层的外延层的电阻主导。为了化器件的导通电阻，必须增加外延层中的掺杂剂浓度（即降低电阻率）或减少层厚度，但这些也会导致击穿电压下降。这意味着芯片设计人员必须很好地权衡导通电阻和击穿电压。 &... （来源：技术文章频道）

碳化硅肖特基二极管 2024-10-25 10:02

IGBT还是SiC ? 英飞凌新型混合功率器件助力新能源汽车实现高性价比电驱

IGBT还是SiC ? 英飞凌新型混合功率器件助力新能源汽车实现高性价比电驱

作者：Devin XU，本文转载自：英飞凌汽车电子生态圈近几年新能源车发展迅猛，技术创新突飞猛进。如何设计更高效的牵引逆变器使整车获得更长的续航里程一直是研发技术人员探讨的最重要话题之一。高效的牵引逆变器需要在功率、效率和材料利用率之间取得适当的平衡。当前新能源汽车牵引逆变器的功率半导体... （来源：技术文章频道）

IGBT SiC 混合功率器件 新能源汽车 2024-10-22 10:20

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