Wolfspeed 推出业界首款可商用 10kV SiC 功率 MOSFET,为 AI 数据中心电网提供关键支撑

关键词:Wolfspeed SiC 功率 MOSFET

时间:2026-3-9 09:24:11      来源:互联网

Wolfspeed 本周(3 月 5 日)推出业界首款可商用 10kV SiC 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),将高压电力电子系统设计赋予更大的架构自由度,为 AI 数据中心电网等场景提供关键支撑。

Wolfspeed 本周(3 月 5 日)推出业界首款可商用 10kV SiC 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),将高压电力电子系统设计赋予更大的架构自由度,为 AI 数据中心电网等场景提供关键支撑。

据介绍,这款产品可以在 20V 栅极偏置电压下达到 158000 年寿命,能够在使用体二极管(注:body-diode)的情况下保持可靠性能,对于中压 UPS 系统、风力发电和固态变压器等应用至关重要。

同时,这款产品的系统架构单元更少、结构简单,例如三电平逆变器被简化为两电平拓扑结构,可将成本降低 30%,开关频率从 600Hz 提升到 10000Hz,功率密度提升 300%,同时简化控制和栅极驱动电路并减小磁性单元体积,相比传统的 IGBT 硅基系统具备明显优势,转换效率达到 99%。

值得注意的是,这套方案的上升时间低于 10 纳秒,因此可以替代传统的电极式火花隙开关,能够避免温度电弧随时间退化的老问题。

此外,这套方案还能够提升脉冲功率传输的时间精度,可应用在地热发电、AI 数据中心电网、半导体等离子刻蚀以及可持续肥料生产等领域。

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