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ROHM开发出实现业界超低损耗的650V耐压IGBT

ROHM开发出实现业界超低损耗的650V耐压IGBT

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出650V耐压第4代IGBT*1，新产品非常适用于车载电动压缩机、HV加热器以及工业设备用变频器等应用。作为支持车载应用的650V级产品，实现了业界超低导通损耗VCE(sat)＝1.55V，同时具备出色的短路耐受能力*²，符合汽车电子产品可靠性标准... （来源：新品频道）

ROHMIGBT 2026-6-26 10:03

又一家国产功率半导体厂商宣布涨价

又一家国产功率半导体厂商宣布涨价

继续国产功率半导体大厂士兰微宣布涨价之后，又一家国产功率半导体厂商宣布涨价。 2026年2月24日，马年开工第一天，国产功率半导体厂商——江苏宏微科技股份有限公司（以下简称“宏微科技”）向客户发出“涨价通知函”，宣布将对IGBT单管及模块、MOSFET器件，2026年3... （来源：新闻频道）

宏微科技IGBT涨价 2026-2-25 13:29

IGBT基础知识：器件结构、损耗计算、并联设计、可靠性

IGBT基础知识：器件结构、损耗计算、并联设计、可靠性

作者：安森美 绝缘栅双极晶体管 (IGBT)是电力电子领域广泛应用的半导体器件，融合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和双极结型晶体管（BJT）的优点，兼具高输入阻抗和低导通电压降的特点。尽管SiC和GaN等宽禁带半导体的应用愈发广泛，但在这些新技术兴起前，IGBT已凭借高效、高可靠性的优势... （来源：技术文章频道）

IGBTMOSFET晶体管 2025-12-29 14:23

中国安世获本土晶圆供应，可确保IGBT明年产能

中国安世获本土晶圆供应，可确保IGBT明年产能

据路透社近日报道，闻泰科技旗下功率半导体大厂安世半导体（Nexperia）中国公司已经锁定本地企业的晶圆供应，以覆盖其2026年对于IGBT产品制造所需的全部生产。而荷兰安世半导体目前仍因与闻泰科技的控制权纠纷而未恢复对安世中国工厂的晶圆供应。 报道称，中国安世的这一举措将使这两个月前宣布独立... （来源：新闻频道）

中国安世IGBT 2025-12-22 13:21

Microchip推出全新DualPack 3 IGBT7电源模块 提供高功率密度并简化系统集成

Microchip推出全新DualPack 3 IGBT7电源模块 提供高功率密度并简化系统集成

该系列包括六款产品，适用于高增长电机驱动、数据中心及可持续发展应用 随着市场对紧凑型、高效且可靠的电源解决方案的需求持续增长，对可提供更高功率密度并简化系统设计的电源管理器件的需求也随之增加。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日宣布推出全新DualPack 3（DP3）系列电源模块... （来源：新品频道）

MicrochipDualPack 3 IGBT7电源模块 2025-9-18 15:40

意法半导体推出先进的 1600 V IGBT，面向高性价比节能家电市场

意法半导体推出先进的 1600 V IGBT，面向高性价比节能家电市场

意法半导体发布STGWA30IH160DF2 IGBT，该器件兼具1600 V的额定击穿电压、优异的热性能和软开关拓扑高效运行等优势，特别适用于需要并联使用的大功率家电应用场景，包括电磁炉、微波炉、电饭煲等电器。 该器件具备175℃最高结温特性和优异的热阻系数，可确保30A额定电流下的高效散热表现，在严苛... （来源：新品频道）

意法半导体IGBTSTGWA30IH160DF2 家电 2025-7-17 09:44

英飞凌推出用于电动汽车的新一代高功率节能型 IGBT 和 RC－IGBT 芯片

随着纯电动汽车（BEV）和插电式混合动力电动汽车（PHEV）销量的快速增长，电动汽车市场的发展在不断加速。预计到 2030 年，电动汽车的生产比例将实现两位数增长，从2024年的20%增长至45%左右 [1]。为满足对高压汽车IGBT芯片日益增长的需求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（... （来源：新品频道）

英飞凌电动汽车IGBT 2025-6-18 13:36

IGBT并联设计指南，拿下！

IGBT并联设计指南，拿下！

大功率系统需要并联 IGBT来处理高达数十千瓦甚至数百千瓦的负载，并联器件可以是分立封装器件，也可以是组装在模块中的裸芯片。这样做可以获得更高的额定电流、改善散热，有时也是为了系统冗余。部件之间的工艺变化以及布局变化，会影响并联器件的静态和动态电流分配。本白皮书将探讨IGBT并联的技术要点... （来源：技术文章频道）

IGBT 并联设计 2025-4-21 10:03

三菱电机开始提供XB系列HVIGBT模块样品

三菱电机开始提供XB系列HVIGBT模块样品

  XB系列HVIGBT模块（3.3kV/1500A型） 三菱电机集团近日（2025年4月8日）宣布，将于5月1日开始供应其新型XB系列高压绝缘栅双极型晶体管（HVIGBT）模块的样品。该模块是一款3.3kV/1500A的大容量功率半导体，专为轨道交通车辆等大型工业设备设计。通过采用专有的二极管和IGBT元件，以及独特的芯... （来源：新品频道）

三菱电机HVIGBT模块 2025-4-10 11:20

为未来供电：用于800V BEV系统应用的1300V A级沟槽式IGBT

为未来供电：用于800V BEV系统应用的1300V A级沟槽式IGBT

作者：Faheem Zahid, Littelfuse产品营销经理    Jose Padilla, Littelfuse产品管理高级总监 Littelfuse推出新型1300V A5A沟槽分立式IGBT，专为800V电动汽车（BEV）应用而设计。这些IGBT具有优化的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）、强大的短路能力和更大的电流范围。特别适用于PTC加... （来源：技术文章频道）

IGBTLittelfuse电池供电BDU 2025-4-9 14:02

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