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芯联集成推出3300V SiC MOSFET 为固态变压器“减负降本”

芯联集成推出3300V SiC MOSFET 为固态变压器“减负降本”

芯联集成（688469.SH）日前宣布，依托自研8英寸碳化硅（SiC）工艺平台，公司正式推出3300V SiC MOSFET器件。该产品面向固态变压器（SST）等高压、高功率密度、高可靠性应用场景深度定制，目前已向核心客户送样验证。 此次3300V SiC器件的发布，是芯联集成长期研发投入与系统代工能力在AI基础设施电源... （来源：新品频道）

芯联集成MOSFET SiC 固态变压器 2026-6-23 09:19

碳化硅赋能浪潮教程：替代Si和SiC MOSFET的方案

碳化硅赋能浪潮教程：替代Si和SiC MOSFET的方案

摘要：碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。我们已经介绍了碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源。本文为第二篇，将介绍三种替... （来源：技术文章频道）

碳化硅SiSiC MOSFET 2026-6-3 15:25

罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元

罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元

全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU（电池备份单元）中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC（高压直流供电）架构演进，在这种背景下，罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。 ... （来源：新品频道）

罗姆SiC MOSFETAI服务器电源 2026-5-21 18:08

东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率

东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。     随着生成式AI的快速发展，功耗不断上升... （来源：新品频道）

东芝SiC MOSFETAI数据中心TW007D120E 2026-5-21 17:17

ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！

ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV（电动汽车）用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。 ROHM在开发第5代SiC MOSFET的过程中，通过改... （来源：新品频道）

ROHMSiC MOSFET导通电阻 2026-4-21 16:09

Vishay采用行业标准SOT－227封装的1200 V SiC MOSFET功率模块提升功率效率

这些器件可作为中高频应用中竞品的“即插即用”型替代方案 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出五款全新的1200 V MOSFET功率模块---VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120，其目标在于提升汽车、能源、工业及... （来源：新品频道）

VishaySiC MOSFET功率模块 2026-3-17 14:07

英飞凌拓展 CoolSiC MOSFET 750 V G2系列，提供超低导通电阻和新型封装

英飞凌拓展 CoolSiC MOSFET 750 V G2系列，提供超低导通电阻和新型封装

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新封装的 CoolSiC™ MOSFET 750V G2系列，旨在为汽车和工业电源应用提供超高系统效率和功率密度。该系列现提供 Q-DPAK、D2PAK 等多种封装，产品组合覆盖在25°C情况下的典型... （来源：新品频道）

英飞凌CoolSiCMOSFET 2026-1-13 10:14

Vishay推出MAACPAK PressFit封装1200 V SiC MOSFET功率模块，提高效率和可靠性

Vishay推出MAACPAK PressFit封装1200 V SiC MOSFET功率模块，提高效率和可靠性

薄型器件适于中高频应用，节省空间，同时降低寄生电感，实现更洁净的开关特性   美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2025年12月3日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两种新型1200 V MOSFET功率模块---VS-MPY038P120和VS-MPX07... （来源：新品频道）

VishayMAACPAKPressFitMOSFET 2025-12-3 16:24

英飞凌推出采用TO－247PLUS－4回流焊封装的CoolSiC MOSFET 1400V G2系列，提升大功率应用中的功率密度

英飞凌推出采用TO－247PLUS－4回流焊封装的CoolSiC MOSFET 1400V G2系列，提升大功率应用中的功率密度

电动汽车充电、电池储能系统，以及商用、工程和农用车辆（CAV）等大功率应用场景，正推动市场对更高系统级功率密度与效率的需求，以满足日益提升的性能预期。同时，这些需求也带来了新的设计挑战，例如，如何在严苛环境条件下实现可靠运行、在应对瞬态过载时如何保持稳定性，以及如何优化整体系统性能。... （来源：新品频道）

英飞凌CoolSiC MOSFET 2025-10-20 10:14

体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET

体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，已开始量产TOLL（TO-LeadLess）封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品（TO-263-7L）相比，其散热性提升约39%，虽然体型小且薄，却能支持大功率。该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电... （来源：新品频道）

ROHMSiC MOSFET 2025-10-16 17:02

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