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国产SiC电源如何解决AI数据中心供电难题

国产SiC电源如何解决AI数据中心供电难题

最近跟几个做电源模组的朋友聊天，大家普遍都反应：AI数据中心这波浪潮，3kW数字电源的开发简直是地狱难度。今天抽空拆解一下，目前这个领域大家都在死磕的三个核心难点。 第一，是极高的开发门槛。现在的数字电源，不光要懂控制理论，还得是DSP编程高手。调试严重依赖昂贵设备，从算法实现到参数整... （来源：解决方案频道）

SiC电源AI数据中心供电 2026-8-27 10:59

详解SiC MOSFET在动态反偏应力下的可靠性问题

详解SiC MOSFET在动态反偏应力下的可靠性问题

SiC MOSFET 已成为下一代高压、高温应用中的主流功率器件。凭借其高临界击穿电场、宽禁带和优异的热导率，SiC MOSFET 系统的效率得到了显著提升，这也对器件可靠性提出了更高的要求。由于SiC MOSFET工作于高频、高dV/dt的环境中，传统的静态可靠性测试难以完全模拟出其失效状况，为全面验证其... （来源：技术文章频道）

SiC MOSFET 2026-8-26 13:11

SiC器件准静态C-V测量新思路：恒流激励法提升测试稳定性并解析界面电荷

SiC器件准静态C-V测量新思路：恒流激励法提升测试稳定性并解析界面电荷

电容电压（C-V）测量是半导体材料与器件工艺表征的重要手段，广泛应用于 MOS 器件分析。借助 C-V 测试数据，可提取氧化物可动电荷、氧化层电容、界面陷阱、掺杂分布、平带电压、掺杂浓度、少数载流子寿命以及输入输出电容等多项关键器件参数。 传统准静态 C-V 测试大多依靠源测量单元（SMU）输出步进... （来源：解决方案频道）

SiC器件恒流激励法 2026-8-25 10:15

全球首个！深圳平湖实验室GaN－on－SiC工艺平台取得新突破

全球首个！深圳平湖实验室GaN－on－SiC工艺平台取得新突破

8月20日，深圳平湖实验室对外宣布在氮化镓领域取得重大进展，推出全球首个8英寸碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）增强型HEMT工艺平台。该平台依托实验室科研与中试一体化能力，已完成多项关键技术攻关，全方位验证了8英寸GaN-on-SiC技术的产业化可行性。 碳化硅基氮化镓材料兼具氮化镓高频高效的优势与碳... （来源：新闻频道）

深圳平湖实验室GaN-on-SiC 2026-8-24 10:23

芯联集成上半年SiC功率模块装机量居中国市场第一，份额达16.9%

芯联集成上半年SiC功率模块装机量居中国市场第一，份额达16.9%

近日，第三方研究平台NE时代发布2026年上半年新能源乘用车SiC功率模块装机量榜单。数据显示，芯联集成（688469.SH）以310904套装机量位居中国市场第一，市场份额达到16.9%，领先ST、比亚迪半导体等厂商。 从榜单来看，ST以238910套装机量排名第二，市场份额为13%；比亚迪半导体以228908套排名第三，... （来源：新闻频道）

芯联集成SiC功率模块 2026-8-17 10:44

高密度AI服务器电源：HVDC隔离、SiC/GaN驱动、高带宽采样与400MHz实时控制

高密度AI服务器电源：HVDC隔离、SiC/GaN驱动、高带宽采样与400MHz实时控制

文章导读 • 高密度服务器电源设计：高压、高频、高功率密度和多相控制，带来哪些新的芯片设计要求； • 隔离+：800V高压架构下的耐压、CMTI、传输延时与集成设计； • 驱动：SiC/GaN高频开关对驱动电流、抗扰能力和延时匹配的要求； • 采... （来源：解决方案频道）

AI服务器电源HVDC 2026-8-14 11:32

联发科将2027年AI ASIC业务营收目标上调至160亿美元

联发科将2027年AI ASIC业务营收目标上调至160亿美元

近日，在AI特殊应用芯片（ASIC）强劲需求的带动下，芯片设计龙头大厂联发科公布了由于市场预期的2026年第二季财报，同时联发科还将2027年AI ASIC业务营收目标上调至12亿美元至160亿美元。花旗银行在最新发布的报告中，维持联发科“买进”投资评级，并将目标价由新台币6,055元大幅调升至新台币... （来源：新闻频道）

联发科AI ASIC 2026-8-3 13:11

安森美 M1 1200V SiC MOSFET 及模块：特性与驱动建议

随着部分早期存在的可靠性隐患得以解决，且售价降至极具竞争力的区间，碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）正在功率半导体市场快速普及。市面上可供选型的器件品类日益丰富，厘清其与绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的共性与差异至关重要，便于工程师充分发挥两类器件各自的性能优势。 本文... （来源：下载频道）

CCF 2026-8-3 11:24

联发科首度确认ASIC项目采用英特尔EMIB－T封装

联发科首度确认ASIC项目采用英特尔EMIB－T封装

在近日举行的业绩说明会上，联发科首次公开确认，其ASIC（专用集成电路）项目已采用英特尔EMIB-T先进封装技术。这一表态较今年4月底的模糊口径有了明显具体化——彼时联发科CEO蔡力行仅透露公司正同时投资两套封装方案，以应对不同客户需求，并称第二种方案“在技术层面效果不错”... （来源：新闻频道）

联发科ASIC英特尔EMIB-T 2026-8-3 11:03

新思科技推出Multiphysics Fusion解决方案，重塑先进芯片设计协同模式

新思科技（Synopsys, Inc.，纳斯达克股票代码：SNPS）近日宣布，首批 Multiphysics Fusion™ 解决方案已可供客户部署。随着芯片复杂度不断提升，信号完整性、电源完整性、热完整性、电磁效应以及共封装光学等物理环境相关挑战，逐渐成为先进工艺节点和 Multi-die 架构的关键制约因素，因此亟需采用... （来源：新闻频道）

新思科技Multiphysics Fusion先进芯片 2026-7-29 15:30

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