搜索到3255条【功率】相关的全部。
横河发布WT1500高精度功率分析仪

横河发布WT1500高精度功率分析仪

横河测试测量宣布，将于8月19日发售WT系列的新成员 --- WT1500高精度功率分析仪。WT系列功率分析仪是被广泛用作电动汽车（xEV）动力总成以及可再生能源相关设备开发和性能评估中的核心测量仪器。全新的WT1500具备该系列首个2000V DC输入电压能力和业界领先的测量精度。同时，它还采用便于在测试环境中使... （来源：新品频道）

横河 功率分析仪 电动汽车 可再生能源 电力 2026-7-23 13:13

Gartner发布AI半导体供应商赛道标杆企业名单

Gartner发布AI半导体供应商赛道标杆企业名单

最新研究聚焦当前关键半导体细分领域的领跑企业 商业与技术洞察公司Gartner表示，为满足AI领域持续增长的算力需求，AI半导体供应商赛道中各标杆企业间的竞争正不断加剧。 在Gartner标杆企业洞察报告中，分析师围绕40余个细分领域，筛选出定义市场格局的AI领导者，并评选出各领域的标杆企业。这些... （来源：技术文章频道）

Gartner AI 半导体 供应商 英飞凌 AI数据中心 功率半导体 2026-7-22 13:25

三菱电机寻求 2026 年 9 月前就功率半导体业务合并与东芝、罗姆达成协议

三菱电机寻求 2026 年 9 月前就功率半导体业务合并与东芝、罗姆达成协议

三菱电机执行总裁漆间启在接受彭博社采访时表示，目标在 2026 年 9 月前就三方功率半导体业务合并事宜与东芝、罗姆达成协议。三菱电机将在“三头同盟”拟设立的合资企业中担任主导角色。 这三家日本企业在今年 3 月 27 日就研究业务整合签署了一份谅解备忘录。根据罗姆的报告，整合后企业... （来源：新闻频道）

三菱电机功率半导体东芝罗姆 2026-7-17 10:48

新突破！长晶科技牵头筹建江苏省新型功率半导体重点实验室

新突破！长晶科技牵头筹建江苏省新型功率半导体重点实验室

7月11日，江苏省科技厅公布企业主导省重点实验室筹建名单。由长晶科技牵头、联合南京邮电大学共建的“江苏省新型功率半导体重点实验室”成功入选！ 实验室立足国家“双碳”目标、能源安全与集成电路全产业链自主可控的核心方向，瞄准江苏省&... （来源：新闻频道）

长晶科技功率半导体 2026-7-15 09:11

射频功率放大器在聚焦超声热消融和机械消融实验中的应用

射频功率放大器在聚焦超声热消融和机械消融实验中的应用

【概述】 某研究团队使用射频功率放大器，搭建超声消融实验平台。   实验名称：BH机械消融与HIFU热消融在模拟组织模型中的损伤对比实验 研究方向：沸腾型组织摧毁术BH、高强度聚焦超声HIFU、机械消融、热消融、空化效应、凝固性坏死、液化匀浆损伤、超声实时监控 实验目的：针对传... （来源：技术文章频道）

射频功率放大器 2026-7-14 10:13

ST车载功率器件的EMI抑制：兼顾合规、安全和性能的设计方案

ST车载功率器件的EMI抑制：兼顾合规、安全和性能的设计方案

引言 设计合理的集成电路搭配架构合理的系统，很少出现严重的电磁兼容性问题。反之，若系统所用集成电路设计存在缺陷，想要使其满足基础电磁兼容要求，往往难度很大，耗力耗时，代价很大。抑制电磁干扰已成为现代电子设计的基本要求，在汽车电子系统中更是重中之重。随着汽车电动化、网联化以及控制... （来源：技术文章频道）

电磁兼容性（EMC） 2026-7-10 18:20

电动汽车快速充电教程：功率因数校正（PFC）级

电动汽车快速充电教程：功率因数校正（PFC）级

（一）功率因数校正（PFC）级 电动汽车对快速充电能力的需求不断攀升，坦白说，这种需求十分迫切。预计到2027年，直流快速充电（DCFC）市场将以高达30%的复合年增长率增长。 安森美（onsemi）对该市场的贡献之一是25kW DCFC参考设计。它将同时适配北美480VAC三相输入电压标准和欧洲400VAC三相标准... （来源：技术文章频道）

实现电动汽车的快速充电 2026-7-10 00:06

AmpStack™ 封装：MOSFET 功率密度实现跨越式提升

AmpStack™ 封装：MOSFET 功率密度实现跨越式提升

AOPL66801采用了半桥配置的创新型垂直堆叠DFN6x5封装技术，通过将上下管MOSFET在垂直方向上进行高密度集成，不仅极大缩减了PCB占用面积，更显著优化了内部开关路径，以紧凑的尺寸释放出卓越的功率处理能力，为各类高功率密度应用场景提供了兼具灵活性与高效率的半导体解决方案。   加利... （来源：新品频道）

半桥配置的创新型垂直堆叠DFN6x5封装技术 2026-7-9 17:50

投资50亿欧元，英飞凌德国智能功率晶圆厂提前投产！

投资50亿欧元，英飞凌德国智能功率晶圆厂提前投产！

当地时间2026年7月2日，英飞凌科技股份公司宣布，正式启用其位于德国德累斯顿的智能功率晶圆厂（Smart Power Fab，以下同），较原计划提前数月投产。 △从左至右：德国联邦数字化转型和政府现代化部长Dr. Karsten Wildberger、英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck、德国萨克森自由州州长Michael ... （来源：新闻频道）

英飞凌功率晶圆 2026-7-3 10:41

东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提升AI数据中心的效率

东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提升AI数据中心的效率

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。该MOSFET面向AI数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品即日起开始出货。     随着AI处理需求持续扩大，数据... （来源：新品频道）

东芝 N沟道功率MOSFETTPM1R408RH 2026-6-30 14:04

加载更多
查看关键词的分类频道
全部(3255)
新闻(449)
新品(1706)
技术文章(766)
解决方案(217)
电子百科(35)
下载(82)
Baidu
map