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东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提升AI数据中心的效率

东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提升AI数据中心的效率

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。该MOSFET面向AI数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品即日起开始出货。     随着AI处理需求持续扩大，数据... （来源：新品频道）

东芝 N沟道功率MOSFETTPM1R408RH 2026-6-30 14:04

东芝推出采用最新一代工艺[1]技术的100V N沟道功率MOSFET，助力提高工业设备开关电源效率

东芝推出采用最新一代工艺[1]技术的100V N沟道功率MOSFET，助力提高工业设备开关电源效率

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺[1]U-MOS11-H制造的100V N沟道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。该MOSFET主要面向开关电源等应用，适用于数据中心和通信基站使用的工业设备。产品于今日开始正式出货。     100V U... （来源：新品频道）

东芝MOSFET开关电源 2025-9-25 15:16

东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET，有助于汽车设备实现高散热和小型化

东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET，有助于汽车设备实现高散热和小型化

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。 自动驾驶系统等高安全级别的应用可通过冗余设计确保可靠... （来源：新品频道）

东芝车载40V N沟道功率MOSFET 2023-8-17 15:05

东芝推出100V N沟道功率MOSFET，助力实现电源电路小型化

东芝推出100V N沟道功率MOSFET，助力实现电源电路小型化

采用最新一代工艺，可提供低导通电阻和扩展的安全工作区东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款产品适用于数据中心和通信基站所用的工业设备电源线路上的开关电路和热插拔电路[1]等应用。该产品于... （来源：新品频道）

东芝 MOSFETTPH3R10AQM 2023-6-29 15:23

东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率

东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。该器件采用超级结结构，耐压600V，适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的首款600V产品，于今日开始批量出货。 通... （来源：新品频道）

东芝 600V N沟道功率MOSFET 2023-6-13 11:45

东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性，有助于提高电源效率

东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性，有助于提高电源效率

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。 TPH9R00CQ5具有行业领先的[2]9.0mΩ（最大值）的低漏源导通电阻，与... （来源：新品频道）

东芝 150V N沟道功率MOSFET 2023-3-30 14:06

东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET

东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET

东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET，支持车载设备对更大电流的需求东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出采用新型L-TOGL™（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET “XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款产品具有高额定漏极电流和低导通电阻... （来源：新品频道）

东芝 车载40V N沟道功率MOSFET 2023-2-2 14:13

东芝电子元件及存储装置发布150V N沟道功率MOSFET

东芝电子元件及存储装置发布150V N沟道功率MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，简称“东芝”）推出了150V N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）“TPH9R00CQH”。该产品采用最新一代(*1)工艺“U-MOSX-H”，适用于工业设备的开关电源，包括部署在数据中心和通信基站的设备。3月3... （来源：新品频道）

东芝电子MOSFET TPH9R00CQH 2022-4-6 10:05

东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET，可大幅提高电源效率

东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET，可大幅提高电源效率

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺，适用于工业设备开关电源，其中包括数据中心电源和通信基站电源。该产品于今日开始支持批量出货。 与使用当前一代“U-MOSⅧ-H”工艺的150V产品TPH15... （来源：新品频道）

TPH9R00CQH东芝MOSFET 2022-3-31 16:08

东芝推出10款适用于工业设备开关电源的新一代80V N沟道功率MOSFET

东芝推出10款适用于工业设备开关电源的新一代80V N沟道功率MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出了10款适用于工业设备开关电源的新一代80 V N沟道功率MOSFET“U-MOSⅩ-H系列”产品。共提供三种类型的封装： “TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、 TK5R3E08QM 和 TK7R0E08QM” 采用双列直插式封装TO-220； “TK2R4A08QM、 TK3R2A08QM、 TK5R1A08QM 和 TK6R8A08Q... （来源：新品频道）

东芝MOSFET TK2R4E08QMTK3R3E08QMTK5R3E08QM TK7R0E08QM 2021-4-30 13:18

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