随着笔记本、游戏主机、电动两轮车、机器人、工业设备等终端持续升级，市场对中大功率 AC-DC 电源的效率、体积、功率密度与稳定性提出更加严苛的要求。基于第三代半导体GaN零反向恢复电荷、低开关损耗、高开关频率等特性，英诺赛科推出两款All GaN（全氮化镓）电源参考设计，功率覆盖140W 和1kW，适配中... （来源：解决方案频道）
英诺赛科All GaNACDC电源 2026-6-29 10:01
RF前端的高功率末级功放已被GaN功率放大器取代。栅极负压偏置使其在设计上有别于其它技术，有时设计具有一定挑战性；但它的性能在许多应用中是独特的。阅读本文，了解Qorvo的电源管理解决方案如何消除GaN的栅极偏置差异。 如今，电子工程师明白GaN技术需要栅极负电压工作。这曾经被视为负面的&mdash... （来源：解决方案频道）
GaN功率放大器电源管理PMIC 2023-11-22 10:59
ST公司的VIPERGAN50是高压转换器,设计用于中功率准谐振ZVS (开关时零电压开关)反激转换器,能够在大范围内提供输出功率高达50W. VIPERGAN50集成了完整的特性,提供极灵活特性和容易使用芯片,有助于设计高效率离线电源.ZVS准谐振工作和动态消隐时间特性以及谷同步功能,它经常在漏极共振的谷底打开功率开关... （来源：解决方案频道）
电源管理 GaN HEMT 高压转换器 ST VIPERGAN50 2022-6-30 13:42
Infineon公司的IGT60R190D1S是600V CoolGaN™增强模式氮化镓(GaN)功率晶体管,它比硅器件具有基本优势,特别是更高的临界电场非常适合功率半导体器件,具有杰出动态开关电阻和更小电容,使得GaN HEMT更适合高速开关应用.GaN功率晶体管最重要的特性是反向恢复性能. Infineon公司的CoolGaN™晶体管... （来源：解决方案频道）
电源管理DC／DC转换器 CoolGaN Infineon 2022-6-22 16:35
ADI公司的ADPA1106是氮化镓(GaN)宽带功率放大器,提供46dBm(40W)功率,典型功率附加效率(PAE),带宽2.7GHz到3.1GHz. 频率2.7 GHz 到 3.1 GHz和PIN=21dBm输出功率POUT=46dBm,功率增益为25dB,小信号增益为34.5dB. 2.7GHz到3.1GHz和PIN = 21 dBm时的PAE为56%.电源电压VDD=50V, IDQ = 300 mA占空比10%.采用32引... （来源：解决方案频道）
无线通信微波通信氮化镓(GaN) ADI ADPA1106 2022-6-21 14:06
Infineon公司的1EDF5673K, 1EDF5673F和1EDS5663H是单路增强隔离高压增强型GaN HEMT栅极驱动器. CoolGaN™ 和同类 GaN开关在”开”态需要几mA的连续栅极电流.此外,由于低阈值电压和极快开关瞬态,需要负的”关”电压电平.广泛使用的RC耦合栅极驱动器完全满足这些要求,但是,它受到开关动态的占空比依... （来源：解决方案频道）
电源管理 栅极驱动器 GaN HEMT Infineon 1EDF5673K 2022-5-10 14:20
TI公司的UCC27614是单路高速GaN/S iC低边栅极驱动器器,能有效驱动MOSFET, IGBT, SiC和GaN功率开关.其峰值驱动强度为10A,降低了功率开关的上升和下降时间,降低开关损耗和增加了效率.UCC27614器件通过改善死区时间优化,脉宽效用,控制回路响应和系统瞬态性能具有小传输时延,从而具有更好的功率级效率.如果... （来源：解决方案频道）
电源管理栅极驱动器IGBT SiC GaN TIUCC27614 2021-12-2 13:59
TI公司的TIDA-010210 6.6kW三相三级ANPC逆变器/PFC上向功率级参考设计,提供实现三级三相碳化硅/氮化镓(SiC/GaN)基于ANPC逆变器功率的设计模板.采用超快功率器件使得开关频率高于100kHz成为可能,从而降低滤波器所用磁性元件尺寸和增加功率级功率密度.多级拓扑允许在高达1000V的更高DC总线电压上使用600V... （来源：解决方案频道）
电源管理SiC／GaN逆变器 TI TIDA－010210 2021-11-4 16:40
ST公司的MASTERGAN5是高功率密度两个增强模式GaN功率HEMT的600V半桥驱动器,具有先进的功率系统级封装(SiP),集成了栅极驱动器和两个半桥配置的增强模式GaN功率晶体管.集成的功率GaN具有650V漏极-源极电压和450 mΩ的RDS(ON).同时嵌入的栅极驱动器的高边很容易由集成的自举二极管进行供电.MASTERGAN5在低和... （来源：解决方案频道）
电源管理开关电源SMPSDC／DC转换器DC／AC转换器GaN功率晶体管 ST MASTERGAN5 2021-9-17 14:38
On Semi公司的NCP51820是高速栅极驱动器,设计以满足驱动离线模式,半桥功率拓扑的增强模式晶体管,高电子迁移率晶体管(HEMT)和栅极注入晶体管(GIT),氮化镓(GaN)功率开关的严格要求.NCP51820具有短和匹配的传输时延和先进的电平转移技术,提供-3.5V到+650V共模电压范围,以用于高边驱动和-3.5V到+3.5V共模电... （来源：解决方案频道）
电源管理GaNAC／DC转换器 On SemiNCP51820NCP13992 2021-8-24 13:36
搜索到38条【GaN】相关的解决方案。
![[原创]ST VIPERGAN50 E模式GaN HEMT 50W高压转换器参考设计](http://www.tiexinbb.com/uploads/solution/202206/sm_20220630134257.jpg)
![[原创]Infineon 600V CoolGaN 3600W LLC DC/DC转换器解决方案](http://www.tiexinbb.com/uploads/solution/202206/sm_20220622163535.jpg)
![[原创]ADI ADPA1106 2.7GHz-3.5GHz 40W氮化镓(GaN)功率放大方案](http://www.tiexinbb.com/uploads/solution/202206/sm_20220621140603.jpg)
![[原创]Infineon 1EDF5673K单路增强隔离高压增强型GaN 栅极驱动方案](http://www.tiexinbb.com/uploads/solution/202205/sm_20220510142037.jpg)
![[原创]TI UCC27614单路高速GaN/S iC低边栅极驱动器解决方案](http://www.tiexinbb.com/uploads/solution/202112/sm_20211202170540.jpg)
![[原创]TI TIDA-010210 6.6kW三相三级ANPC逆变器参考设计](http://www.tiexinbb.com/uploads/solution/202111/sm_20211104164025.jpg)
![[原创]ST MASTERGAN5 600V增强模式GaN功率半桥驱动器解决方案](http://www.tiexinbb.com/uploads/solution/202109/sm_20210917143839.gif)
![[原创]On Semi NCP51820＋NCP13992 300WGaN适配器解决方案](http://www.tiexinbb.com/uploads/solution/202108/sm_20210824133625.gif)
查看关键词的分类频道
