英诺赛科推出2款All GaN方案，持续拓宽ACDC电源的性能边界

随着笔记本、游戏主机、电动两轮车、机器人、工业设备等终端持续升级，市场对中大功率 AC-DC 电源的效率、体积、功率密度与稳定性提出更加严苛的要求。基于第三代半导体GaN零反向恢复电荷、低开关损耗、高开关频率等特性，英诺赛科推出两款All GaN（全氮化镓）电源参考设计，功率覆盖140W 和1kW，适配中功率PD快充、机器人、电动摩托车、通信等大功率电源领域，为客户提供高性能、小体积的电源解决方案，加速产品落地，抢占市场先机。

INNDAD140C1

140W PFC+AHB AllGaN PD

该方案为中功率PD3.1快充，专为笔记本电脑、游戏主机、高性能便携设备打造。采用PFC+AHB两级高效拓扑，主功率回路全链路搭载英诺赛科自研GaN器件，兼顾小体积、高效率与宽电压适配，是消费类适配器的优选设计。

1 核心参数一览

• 输入电压：90–264Vac

• 最高输出：28V/5A 满配140W

• 转换效率：94.25% @90Vac，峰值效率达96.21% @264Vac

• 功率密度：31.86W/in³，PCBA尺寸仅60×60×20(mm)

• 待机功耗：100mW@230Vac

• 开关频率：PFC最高140kHz，AHB最高130kHz

• 温升表现：PFC电感最高92.1℃，变压器81.1℃，散热均衡

• 合规认证：满足EN55022 EMI标准，适配量产安规认证

2 两级高效拓扑PFC+AHB+SR

采用 PFC+AHB+SR 经典高效架构，All GaN（全链路氮化镓芯片）加持，从源头降低开关损耗、缩小体积。

• PFC功率因数校正

搭载700V合封氮化镓ISG6117TM（700V/210mΩ，TO252-4L封装），内置无损电流检测，有效降低导通损耗，显著提升低压90Vac工况效率。

• AHB不对称半桥

采用集成驱动的700V半桥 GaN器件ISG6233AQH（700V/130mΩ，QFN6×8封装），驱动电压支持8~20V，且高度集成化，外围电路简单，有利于系统小型化。

&bu...