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借助 TOLL GaN 突破太阳能系统的界限

借助 TOLL GaN 突破太阳能系统的界限

太阳能系统的发展势头越来越强，光伏逆变器的性能是技术创新的核心。设计该项光伏逆变器旨在尽可能高效地利用太阳能。 其中一项创新涉及使用氮化镓 (GaN)。氮化镓正在快速取代硅 (Si) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系统。GaN 不仅能提高太阳能系统的性能，也能提升整个系统的效率，此外，在保证缩小系... （来源：技术文章频道）

TOLL GaN 太阳能电源能源SIC 2025-12-12 11:34

罗姆推出 TOLL 封装 13–65mΩ 碳化硅 MOSFET

罗姆推出 TOLL 封装 13–65mΩ 碳化硅 MOSFET

日本半导体制造商罗姆（ROHM）已启动 SCT40xxDLL 系列碳化硅（SiC）MOSFET 的量产工作，该系列产品采用 TOLL（无引脚 TO 封装）封装形式。与额定电压和导通电阻相当的传统 TO-263-7L 封装产品相比，新型封装的热性能提升约 39%，在实现紧凑尺寸和薄型化设计的同时，具备更强的大功率处理能力。该产品适... （来源：新品频道）

罗姆 碳化硅 MOSFET 2025-12-8 11:01

体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET

体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，已开始量产TOLL（TO-LeadLess）封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品（TO-263-7L）相比，其散热性提升约39%，虽然体型小且薄，却能支持大功率。该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电... （来源：新品频道）

ROHMSiC MOSFET 2025-10-16 17:02

东芝推出采用TOLL封装的第3代650V SiC MOSFET

东芝推出采用TOLL封装的第3代650V SiC MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。这三款产品配备其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面贴装TOLL封装，适用于开关电源、光伏发电机功率... （来源：新品频道）

东芝TOLLMOSFETSiC 2025-8-28 15:44

借助高集成度 TOLL 封装 GaN 器件推动电源设计创新

借助高集成度 TOLL 封装 GaN 器件推动电源设计创新

当今的电源设计要求高效率和高功率密度。因此，设计人员将氮化镓 (GaN) 器件用于各种电源转换拓扑。 GaN 可实现高频开关，这样可减小无源器件的尺寸，从而增加密度。与硅和碳化硅 (SiC) 之类的技术相比，GaN 还可降低开关、栅极驱动和反向恢复损耗，从而提高电源设计效率。 您可以使用 650V GaN ... （来源：技术文章频道）

TOLL 封装 GaN 电源设计TI 2025-6-4 16:08

英飞凌推出采用Q－DPAK和TOLL封装的全新工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，实现更高的功率密度

英飞凌推出采用Q－DPAK和TOLL封装的全新工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，实现更高的功率密度

电子行业正在向更加紧凑而强大的系统快速转型。为了支持这一趋势并进一步推动系统层面的创新，全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩展其CoolSiC™ MOSFET 650 V单管产品组合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封装的两个全新产品系列... （来源：新品频道）

英飞凌CoolSiC MOSFET 650 V G2 2025-2-20 11:33

纳微推出TOLL封装版第三代快速碳化硅MOSFETs

纳微推出TOLL封装版第三代快速碳化硅MOSFETs

第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装，为关键、高可靠性、高效率的应用带来最高功率密度纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布为其最新的第三代快速碳化硅（G3F）MOSFETs产品组合新增一款坚固耐用的热性能增强型高速表贴TOLL封装产品，能为大功率、可靠性要求高的应用带来... （来源：新品频道）

纳微半导体TOLL封装碳化硅MOSFETs 2024-8-14 09:45

英飞凌推出TOLT和Thin－TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度

英飞凌推出TOLT和Thin－TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度

在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡，同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前，英飞凌... （来源：新品频道）

英飞凌Thin－TOLL封装CoolSiC MOSFET 650 V G2 2024-6-13 16:08

Qorvo推出采用 TOLL 封装的 750V 4mΩ SiC JFET，推动断路器技术的革命性变革

Qorvo推出采用 TOLL 封装的 750V 4mΩ SiC JFET，推动断路器技术的革命性变革

全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，率先在业界推出采用 TOLL 封装的 4mΩ 碳化硅（SiC）结型场效应晶体管（JFET）——UJ4N075004L8S。该产品专为包括固态断路器在内的电路保护应用而设计，UJ4N075004L8S 所具有的低电阻、卓越的热性能、小巧的尺寸和高可靠... （来源：新品频道）

Qorvo TOLL 封装 SiC JFET 断路器技术 2024-6-13 09:50

Transphorm推出TOLL封装FET，将氮化镓定位为支持高功率能耗人工智能应用的最佳器件

Transphorm推出TOLL封装FET，将氮化镓定位为支持高功率能耗人工智能应用的最佳器件

三款新器件为SMD的高功率系统带来了SuperGaN的常闭型(Normally-Off D-Mode)平台优势，此类高功率系统需要在高功率密度的情况下实现更高的可靠性和性能，并产生较低的热量新世代电力系统的未来、氮化镓(GaN)功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码：TGAN）近日宣布，推出三款TO... （来源：新品频道）

TransphormTOLL封装FET人工智能 2023-11-7 10:22

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