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IGBT基础知识：器件结构、损耗计算、并联设计、可靠性

IGBT基础知识：器件结构、损耗计算、并联设计、可靠性

作者：安森美 绝缘栅双极晶体管 (IGBT)是电力电子领域广泛应用的半导体器件，融合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和双极结型晶体管（BJT）的优点，兼具高输入阻抗和低导通电压降的特点。尽管SiC和GaN等宽禁带半导体的应用愈发广泛，但在这些新技术兴起前，IGBT已凭借高效、高可靠性的优势... （来源：技术文章频道）

IGBTMOSFET晶体管 2025-12-29 14:23

IGBT并联设计指南，拿下！

IGBT并联设计指南，拿下！

大功率系统需要并联 IGBT来处理高达数十千瓦甚至数百千瓦的负载，并联器件可以是分立封装器件，也可以是组装在模块中的裸芯片。这样做可以获得更高的额定电流、改善散热，有时也是为了系统冗余。部件之间的工艺变化以及布局变化，会影响并联器件的静态和动态电流分配。本白皮书将探讨IGBT并联的技术要点... （来源：技术文章频道）

IGBT 并联设计 2025-4-21 10:03

为未来供电：用于800V BEV系统应用的1300V A级沟槽式IGBT

为未来供电：用于800V BEV系统应用的1300V A级沟槽式IGBT

作者：Faheem Zahid, Littelfuse产品营销经理    Jose Padilla, Littelfuse产品管理高级总监 Littelfuse推出新型1300V A5A沟槽分立式IGBT，专为800V电动汽车（BEV）应用而设计。这些IGBT具有优化的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）、强大的短路能力和更大的电流范围。特别适用于PTC加... （来源：技术文章频道）

IGBTLittelfuse电池供电BDU 2025-4-9 14:02

低损耗、高可靠性：先进IGBT技术驱动家电能效升级

低损耗、高可靠性：先进IGBT技术驱动家电能效升级

作者：高天维，Nexperia IGBT 产品线应用工程师在当前快速发展的消费电子市场中，IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为一种核心电子元器件，凭借其卓越的开关性能、低导通损耗和良好的热管理能力，成为现代家电技术的重要组成部分。面对家电行业对性能与可靠性要求的日益增长以及用户对能效的高度关注，安世半... （来源：技术文章频道）

IGBT技术电机拖动技术 2025-4-7 10:39

IGBT两类短路保护了解吗

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种常用于电力电子领域的功率半导体器件，在变频器、电机驱动、电力变换等应用中有广泛的应用。由于IGBT在工作时会承受较高的电流和电压，短路保护对其工作安全至关重要。IGBT的短路保护主要分为两类： 　　1. 过电流保护（Overcurrent Protection） 　　工作原理：过电... （来源：技术文章频道）

IGBT短路保护 2025-2-24 10:10

IGBT的并联知识点梳理：静态变化、动态变化、热系数

IGBT的并联知识点梳理：静态变化、动态变化、热系数

大功率系统需要并联 IGBT来处理高达数十千瓦甚至数百千瓦的负载，并联器件可以是分立封装器件，也可以是组装在模块中的裸芯片。这样做可以获得更高的额定电流、改善散热，有时也是为了系统冗余。部件之间的工艺变化以及布局变化，会影响并联器件的静态和动态电流分配。系统设计工程师需要了解这些，才能... （来源：技术文章频道）

IGBT并联器件 2025-1-21 14:05

IGBT 模块在颇具挑战性的逆变器应用中提供更高能效

IGBT 模块在颇具挑战性的逆变器应用中提供更高能效

作者：安森美产品线经理 Jinchang Zhou 制造商和消费者都在试图摆脱对化石燃料能源的依赖，电气化方案也因此广受青睐。这对于保护环境、限制污染以及减缓破坏性的全球变暖趋势具有重要意义。电动汽车 (EV) 在全球日益普及，众多企业纷纷入场，试图将商用和农业车辆 (CAV) 改造成由电力驱动。 然而... （来源：技术文章频道）

IGBT 模块逆变器 2025-1-8 11:14

功率器件热设计基础（七）——热等效模型

功率器件热设计基础（七）——热等效模型

作者：陈子颖前言 功率半导体热设计是实现IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。有了热阻... （来源：技术文章频道）

功率器件 热设计IGBT 2024-12-6 10:43

功率器件热设计基础（三）——功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法

功率器件热设计基础（三）——功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法

前言功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会联系实际，比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。功率半导体模块壳温... （来源：技术文章频道）

功率器件 IGBT 英飞凌 2024-12-4 10:36

功率器件热设计基础（六）——瞬态热测量

功率器件热设计基础（六）——瞬态热测量

作者：陈子颖前言功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。确定热阻抗曲线测... （来源：技术文章频道）

功率器件 英飞凌 IGBT 2024-12-4 10:19

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