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功率器件热设计基础（十二）——功率半导体器件的PCB设计

功率器件热设计基础（十二）——功率半导体器件的PCB设计

作者：陈子颖 前言 功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。 功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。 ... （来源：技术文章频道）

功率半导体器件PCB设计 2025-2-6 13:05

功率器件热设计基础（十三）——使用热系数Ψth(j－top)获取结温信息

功率器件热设计基础（十三）——使用热系数Ψth(j－top)获取结温信息

作者：陈子颖，来源：英飞凌工业半导体 前言 功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。 功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关... （来源：技术文章频道）

英飞凌功率半导体热设计 2025-1-22 14:00

技嘉于 CES 2025 首度亮相升级散热设计与精实体积的 NVIDIA GeForce RTX 50 系列显卡

技嘉于 CES 2025 首度亮相升级散热设计与精实体积的 NVIDIA GeForce RTX 50 系列显卡

以 Evolution of Ten 设计概念增强 10% 性能且缩小 10% 体积 技嘉科技（GIGABYTE）于 CES 2025 发布采用 NVIDIA Blackwell 架构及 AI 技术的 GeForce RTX™ 50 系列显卡，包含RTX™ 5090 D, RTX™ 5080, RTX™ 5070 Ti, and RTX™ 5070 等机... （来源：新品频道）

CES 2025 显卡 2025-1-8 10:05

功率器件热设计基础（十）——功率半导体器件的结构函数

功率器件热设计基础（十）——功率半导体器件的结构函数

作者：陈子颖，来源：英飞凌工业半导体前言功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测... （来源：技术文章频道）

功率器件 热设计 英飞凌 2024-12-31 10:52

功率器件热设计基础（九）——功率半导体模块的热扩散

功率器件热设计基础（九）——功率半导体模块的热扩散

作者：陈子颖前言功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。任何导热材料都有... （来源：技术文章频道）

功率器件 热设计半导体模块 2024-12-19 13:46

功率器件热设计基础（八）——利用瞬态热阻计算二极管浪涌电流

功率器件热设计基础（八）——利用瞬态热阻计算二极管浪涌电流

作者：杨勇前言功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。上一篇讲了两种热等... （来源：技术文章频道）

功率器件 热设计 二极管 浪涌电流 2024-12-16 14:25

功率器件热设计基础（七）——热等效模型

功率器件热设计基础（七）——热等效模型

作者：陈子颖前言 功率半导体热设计是实现IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。有了热阻... （来源：技术文章频道）

功率器件 热设计IGBT 2024-12-6 10:43

功率器件热设计基础（三）——功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法

功率器件热设计基础（三）——功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法

前言功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会联系实际，比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。功率半导体模块壳温... （来源：技术文章频道）

功率器件 IGBT 英飞凌 2024-12-4 10:36

功率器件热设计基础（六）——瞬态热测量

功率器件热设计基础（六）——瞬态热测量

作者：陈子颖前言功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。确定热阻抗曲线测... （来源：技术文章频道）

功率器件 英飞凌 IGBT 2024-12-4 10:19

功率器件热设计基础（五）——功率半导体热容

功率器件热设计基础（五）——功率半导体热容

作者：陈子颖，来源：英飞凌工业半导体前言功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测... （来源：技术文章频道）

功率器件 热设计 2024-11-26 10:21

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