SiC器件制造过程主要包括“光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄”等工艺，其中，离子注入工艺是SiC掺杂的重要步骤，以满足SiC器件耐高压、大电流功能的实现。然而离子注入后，碳化硅材料的晶格损伤必须通过退火工艺进行修复。 在SiC材料晶体生长过程中，退火工艺可以使硅原子获得足够的能... （来源：新闻频道）
晟鼎精密SiC材料碳化硅材料 2024-7-8 15:02
近日，为持续扩大碳化硅（SiC）产能，英飞凌宣布与Resonac（前身为昭和电工）签订多年期供应及合作协议，以补充并扩展双方在2021年的协议。新合约将深化双方在SiC 材料供应方面的长期合作，Resonac 将供应英飞凌未来10 年预估需求量中双位数份额的SiC晶圆。英飞凌工业电源控制事业部总裁Peter Wawer 表... （来源：新闻频道）
英飞凌ResonacSiC材料 2023-2-1 15:37
一般来说，半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料，是半导体工业的基础。迄今为止，半导体材料主要分为：基于Ⅳ族硅Si、锗Ge元素的第一代半导体；基于Ⅲ-Ⅴ族砷化镓、磷化铟的第二代半导体以及基于Ⅲ-Ⅴ族氮化镓、Ⅳ族碳化硅的第三代半导体等。过去一年里，我们看到随着市场对半导体性能的要... （来源：技术文章频道）
半导体材料氧化镓 SiC材料器件 2021-10-28 09:48
搜索到3条【SiC材料】相关的全部。
搜索到3条【SiC材料】相关的全部。
查看关键词的分类频道
