SiC器件制造过程主要包括“光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄”等工艺，其中，离子注入工艺是SiC掺杂的重要步骤，以满足SiC器件耐高压、大电流功能的实现。然而离子注入后，碳化硅材料的晶格损伤必须通过退火工艺进行修复。 在SiC材料晶体生长过程中，退火工艺可以使硅原子获得足够的能... （来源：新闻频道）
晟鼎精密SiC材料碳化硅材料 2024-7-8 15:02
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