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↓在 论坛帖子 中搜索到 255 条关于“N沟道功率”的信息，用时:0.007 sec.

--BBS主题帖: 同轴变换器原理及射频功率放大器宽带匹配设计 2015-07-16

[font=微软雅黑, Tahoma,][b][b]射频功率放大器[/b]的[b]宽带匹配[/b]设计[/b][/font] [font=微软雅黑, Tahoma,]在很多远程通信、雷达或测试系统中，要求发射机功放工作在非常宽的频率范围。例如，工作于多个倍频程甚至于几十个倍频程。这就需要对射频功放进行宽带匹配设计，宽带功放具有一些显著的优...

--BBS主题帖: 精确测量功率MOSFET的导通电阻 2015-06-08

[align=left][font=微软雅黑, Tahoma,]电阻值的测量通常比较简单。但是，对于非常小阻值的测量，我们必须谨慎对待我们所做的假定。对于特定的几何形状，如电线，Kelvin方法是非常精确的。可以使用类似的方法来测量均匀样本的体电阻率和面电阻率，但是所使用的公式不同。在这些情况下，必须考虑探针间距...

--BBS主题帖: 升压三极管获取最佳功率应用电路设计方案 2015-05-28

[font=宋体, arial]　本设计实例采用的6L6束射功率管尽管已经存在了66年，现仍然十分流行地应用于电吉他放大器中，与其同类的6CA7 功率五极管也是高保真音响“发烧友”之所爱。这些电子管的开发人员将它们设计得以五极管模式工作，而在这种模式下它们能够输出最大的音频功率。另一方面，许多高保真音响...

--BBS主题帖: 安森美半导体推出全新的中压N沟道MOSFET阵容 2015-05-20

[b][font="][size=11.0pt]2015[/size][/font][/b][b] [/b][b][font=宋体][size=11.0pt]年[/size][/font][/b][b][font="][size=11.0pt]5[/size][/font][/b][b] [/b][b][font=宋体][size=11.0pt]月[/size][/font][/b][b][font="][size=11.0pt]19[/size][/font][/b][b] [/b][b][font=宋体]...

--BBS主题帖: 东芝推出100V低导通电阻N沟道功率MOSFET TK55S10N1 2013-03-10

东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)已推出一款100V的低导通电阻、低漏电型功率MOSFET。该产品采用最新的沟道MOS工艺打造，成为汽车专用系列中的最新成员。新产品“TK55S10N1”的导通电阻较低，搭载以最新的第八代沟道MOS工艺打造的“U-MOS VIII-H系列”芯片，并采用配以...

--BBS主题帖: Vishay宣布推出新款100V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ 2013-01-10

今天推出的MOSFET适用于升压转换器、低功率DC/AC逆变器，以及电信砖式电源、负载点应用和便携式设备中的LED照明等小型DC/DC转换器的初级侧开关。对于设计者来说，器件的超小PowerPAK SC-75和PowerPAK SC-70封装可在这些应用中节省PCB空间，其低导通电阻可实现更低的导通电阻，从而降低能源消耗，提高效...

--BBS主题帖: 汽车系统中的功率电子技术 2012-09-26

[b]一、导言[/b] [font=Arial, Helvetica, sans-serif, 宋体]汽车中使用电子产品可以追溯到使用电动启动器替代手动曲柄的20世纪初。上世纪60年代，随着固体电子产品的出现，[url=http://www.ednchina.com/SEARCH/ART/%C6%FB%B3%B5%B5%E7%D7%D3.HTM]汽车电子[/url]开始盛行起来。现今存在着几种推动汽...

--BBS主题帖: 600伏沟道型IGBT可将太阳能逆变器散热片温度降低16% 2009-09-18

针对应用选择最佳的IGBT不仅令人困惑而且耗费时间。本文通过解释需要考虑的折衷来试图简化这一选择过程。为举例说明这种选择方法的好处，本文将讨论针对直流/交流[url=http://www.ykups.com/DA-Power.htm]逆变电源[/url]应用的新一代600V IGBT可能带来的性能改善。这些新型器件采用场终止沟道(Field St...

--BBS主题帖: 英飞凌推出采用SSO8封装的N沟道MOSFET OptiMOS 3 2008-05-26

英飞凌在中国国际电源展览会上宣布推出采用SuperSO8和S308 （Shrink SuperSO8）封装的40V、60V和80V OptiMOS 3 N沟道MOSFET，在这些击穿电压下可提供无铅封装形式下的全球最低通态电阻。SuperSO8封装与标准TO（晶体管外形）封装相比，可使功率密度增大50%，特别是对于服务器开关模式电源的同步整流...

--BBS主题帖: NCP4330:后稳压双N沟道MOSFET驱动器 2005-03-21

3月15日讯, 安森美半导体（ON Semiconductor）推出后稳压双N沟道MOSFET驱动器NCP4330，能提高常用于ATX和高功率开关电源（SMPS）的正激转换器的效率。

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