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Vishay SQJQ480E汽车级功率MOSFET荣获《今日电子》2017年度“Top－10电源产品”奖 2017-10-11

3款采用紧凑型PowerPAK SO-8L封装的N沟道器件 2016-07-14

MOSEFT增加DC／DC转换器的功率密度 2015-06-05

Vishay大幅扩充650V N沟道功率MOSFET家族 2013-06-05

英飞凌推单P沟道40V汽车电源MOSFET树行业新标杆 2011-09-13

Vishay推新款500V的N沟道功率MOSFET超低导通电阻 2010-10-20

面积最小厚度最薄的N沟道芯片级功率MOSFET 2010-07-30

SSOT-6 FLMP N沟道MOSFET 2003-05-22

飞兆半导体公司宣布推出30V、9mW FDC796N和100V、70mW FDC3616N的N沟道MOSFET器件，专为处理1.8W的功率耗散而设计，包括电信设备和互联网集线器及路由器，以至仪表设备和ATE设备。 FDC796N和FDC3616N是飞兆半导体最新独特功率MOSFET系列中的成员，该系列结合了飞兆半导体的PowerTrench技术和SuperSOT-...

飞兆半导体推出30V N沟道MOSFET 2003-04-30

飞兆半导体公司日前推出一款FDS7066SN3器件，它采用飞兆半导体的FLMP (倒装引脚铸模封装) 和SyncFET硅技术，改善了同步DC/DC降压转换器的性能并能降低总系统设计成本。该器件集成了肖特基二极管，其SyncFET技术可在单一封装中提供分开的MOSFET及肖特基整流器的性能，即大功率和大电流的处理能力。这可使...

飞利浦推出新型N沟道MOSFET 2002-11-06

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