英飞凌推出采用SSO8封装的N沟道MOSFET OptiMOS 3 英飞凌, MOSFET, OptiMOS, 封装

英飞凌在中国国际电源展览会上宣布推出采用SuperSO8和S308 （Shrink SuperSO8）封装的40V、60V和80V OptiMOS 3 N沟道MOSFET，在这些击穿电压下可提供无铅封装形式下的全球最低通态电阻。SuperSO8封装与标准TO（晶体管外形）封装相比，可使功率密度增大50%，特别是对于服务器开关模式电源的同步整流应用而言。举例来说，这种采用SuperSO8封装的器件可以只用20%的占位空间提供与D?Pak封装相同的通态电阻。