据报道，日本NAND闪存厂商铠侠（Kioxia）正与一家大型云服务及虚拟服务器提供商洽谈为期三年的长期供货协议（LTA），有效期至2029年。目前，铠侠今年产能已售罄，预计供应短缺将持续至明年。 报道称，LTA将半导体季度供应合同转为长期协议，提前锁定未来数年的供应量与价格，可帮助买家在供应短... （来源：新闻频道）
铠侠云服务NAND 2026-4-13 10:16
NAND闪存价格持续攀升，供应依然紧张。NAND控制器供应商群联电子已通知客户，将调整付款条款。该公司表示，NAND价格上涨导致其资金需求大幅增加。为确保更稳定的供应，群联电子将与客户逐案协商预付款安排。 自2025年下半年以来，NAND合约价格已连续几轮翻番，过去六个月的累计涨幅高达500%。美国NA... （来源：新闻频道）
NAND闪存闪迪群联电子 2026-3-2 10:21
据媒体报道，受NAND价格持续走高及市场供货紧缺影响，NAND闪存控制芯片大厂群联日前向客户发函，宣布将更新付款条件。 群联在函中表示，NAND价格持续增长，对资金需求的影响明显加大，为争取更稳定的货源，近期将视个别客户情况，讨论预付款相关条件。 这轮存储涨价潮的背后，是多重因素的叠加共... （来源：新闻频道）
NAND闪存群联 2026-2-27 10:17
价格大幅上涨的不仅仅是高端固态硬盘（SSD），也影响到消费者使用的入门级SSD。据报道，铠侠（Kioxia）存储事业部总经理Shunsuke Nakato认为，至少在人工智能（AI）热潮消退之前，1TB SSD的低价时代已经结束。 Shunsuke Nakato表示，铠侠2026年的产能已经售罄，“7000日元左右（约合45美元）的... （来源：新闻频道）
铠侠SSDNAND 2026-1-22 13:25
据Trendforce报道，SK海力士确认将于2027年初量产第十代V10 NAND闪存，核心突破在于首次采用300+层堆叠架构并集成混合键合技术（Hybrid Bonding）。 该技术通过将存储阵列晶圆与外围电路晶圆分别制造后垂直键合，形成单一高性能单元，显著提升产品良率、数据传输效率及生产效益。 此举颠覆了行业... （来源：新闻频道）
SK海力士NAND 2025-12-10 09:54
SK海力士27日宣布，于当地时间13日至16日在美国加利福尼亚州圣何塞举办的“2025 OCP全球峰会”（以下简称“峰会”）上，展示了下一代NAND闪存产品战略。 公司表示：“随着人工智能推理市场的快速发展，业界对能够迅速、高效处理海量数据的NAND闪存产品的需求正大幅攀升。为... （来源：新闻频道）
SK海力士NAND闪存 2025-10-27 14:14
SK海力士宣布，已完成开发并开始量产其321层2Tb QLC NAND闪存产品。 这也是全球首次使用QLC技术实现超过300层的NAND闪存，SK海力士计划在明年上半年完成全球客户验证后正式推出该产品。 为了最大化新产品的成本竞争力，SK海力士开发了一款容量为2Tb的设备，其容量是现有解决方案的两倍。 ... （来源：新闻频道）
SK海力士NAND 2025-8-25 15:12
铠侠（Kioxia）宣布其位于日本北上市工厂的Fab2 （K2）大楼已于7月完工，计划于2025年秋季投入运营。据悉，K2是日本岩手县北上市的第二家NAND闪存制造工厂。此外，从今年11月开始，一些行政和工程部门将搬迁至毗邻K2的新行政大楼，此举将使他们能够更有效地监督K2的运营。声明中称，铠侠致力于利用闪存... （来源：新闻频道）
铠侠NAND闪存 2024-8-6 09:10
公司开发团队因研发了开创性的BiCS FLASH 3D闪存技术而受到表彰NAND闪存的发明者Kioxia Corporation荣获2024年“FMS未来内存和存储终身成就奖”。由Hideaki Aochi、Ryota Katsumata、Masaru Kito、Masaru Kido和Hiroyasu Tanaka组成的Kioxia工程团队将领取这一殊荣，以表彰其在3D闪存开发和商业化方面的... （来源：新闻频道）
KIOXIA 3D NAND闪存 2024-7-30 08:56
比三星上一代产品提高约50%的位密度(bit density)通过先进的通道孔蚀刻技术（channel hole etching）提高生产效率近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产，这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。"我们很高兴能推出三星首款第九代V-NAND，这将有机会推动未来应用的飞跃发展。"三星电子... （来源：新闻频道）
三星 V－NAND闪存 2024-4-24 09:09
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