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SLC NAND下半年价格续飙 估上涨120－170%

SLC NAND下半年价格续飙 估上涨120－170%

TrendForce 7月13日表示，由于高层数3D NAND等高附加价值产品排挤成熟制程产能，MLC NAND供给极度短缺，迫使部分工控、车用和网通客户计划改采用SLC NAND，将导致原已吃紧的SLC供应情况更加紧绷，同时，AI边缘计算、数据中心、汽车电子等对SLC的需求持续提升，供需缺口急遽扩大，预估将激励2026下... （来源：新闻频道）

SLC NAND 2026-7-14 10:09

TrendForce：预估 2026 年下半年 SLC NAND 价格将上涨 120－170%

TrendForce：预估 2026 年下半年 SLC NAND 价格将上涨 120－170%

TrendForce 集邦咨询最新价格调查显示，由于高层数 3D NAND 等高附加价值产品排挤成熟制程产能，MLC NAND 供给极度短缺，迫使部分工控、车用和网通客户计划改采用 SLC NAND，将导致原已吃紧的 SLC 供应情况更加紧绷。 同时，AI 边缘运算、数据中心、汽车电子等对 SLC 的需求持续提升，供需缺口急剧扩... （来源：新闻频道）

SLC NAND 2026-7-13 17:07

铠侠和Sandisk发布332层3D NAND，密度高达29Gb/mm²

铠侠和Sandisk发布332层3D NAND，密度高达29Gb/mm²

近日，存储芯片大厂铠侠（Kioxia）与Sandisk宣布，它们的第十代产品BiCS10（第10代BiCS）3D NAND Flash在日本岩手县北上工厂的Fab2（K2）生产线正式投产。该产品主要面向数据中心等企业级储存应用，兼顾高密度与高性能，储存密度方面更有望超越三星最新的V10世代400层3D NAND。 据介绍，面向数据... （来源：新闻频道）

铠侠SandiskNAND 2026-7-8 15:44

SK 海力士官宣韩国清州 M17 NAND 晶圆厂 80 万亿韩元建设投资

SK 海力士官宣韩国清州 M17 NAND 晶圆厂 80 万亿韩元建设投资

SK 海力士 CEO 郭鲁正当地时间今日在韩国忠清南道牙山市公布了企业在忠清地区 100 万亿韩元投资计划的细节。 这 100 万亿韩元中将有 20 万亿韩元用于清州 P&T7 先进封装设施。这座占地面积 23 万平方米的大型后端工厂将专注于制造 HBM 等 AI 存储器产品，目标 2027 年底完工。 而剩余 80... （来源：新闻频道）

SK 海力士NAND 2026-7-2 13:16

联想警告：DRAM、NAND低价难再现，高价内存将是“新常态”

联想警告：DRAM、NAND低价难再现，高价内存将是“新常态”

联想在 ISC 2026 国际超算大会上表示，内存和存储短缺可能不会很快缓解。公司在演示中称，内存价格“不会再像去年那样”，并以“RAM 末日生存五步指南”为题，强调当前市场环境已经发生变化。 联想认为，2025 年初的内存价格处于异常低位。随着 AI 基础设施需求持续增长，RAM、... （来源：技术文章频道）

联想DRAMNAND内存 2026-6-30 09:06

闪迪新专利：将 NAND 闪存堆叠在计算芯片下方，破解存储瓶颈

闪迪新专利：将 NAND 闪存堆叠在计算芯片下方，破解存储瓶颈

闪迪正在研发更多创新方案以解决存储容量受限问题，例如在芯片内部堆叠 NAND 闪存。 注意到，人工智能行业飞速发展，算力需求同步激增，各类性能瓶颈随之暴露，这倒逼 DRAM 与 NAND 闪存厂商跳出固有思维、探索突破性技术路线。 过去，芯片厂商只需推出全新存储技术就能满足需求，彼时 DRAM ... （来源：新闻频道）

闪迪NAND 2026-6-22 11:03

TrendForce：利基型 NOR、SLC NAND 闪存 2026H1 合约价双双翻倍

TrendForce：利基型 NOR、SLC NAND 闪存 2026H1 合约价双双翻倍

TrendForce（集邦）预测称，NOR、SLC NAND 两大利基型闪存品类的合约价格均将在 2026 上半年出现超过 100% 的涨幅，其中 NOR 涨价 100~120%、SLC NAND 涨价 130-150%。 展望下半年，利基型闪存市场的整体风向仍然保持不变：上游主要原厂在成熟制程端无新增产能，而需求未有收缩态势。机构认为高容量... （来源：新闻频道）

NORSLC NAND 闪存 2026-6-17 09:12

正在演进的BiCS FLASH

正在演进的BiCS FLASH

BiCS FLASH是铠侠自主研发的3D NAND闪存技术品牌，也是目前全球主流存储芯片的核心技术路线之一。BiCS的含义可以理解成Bit Cost Scaling，即位成本缩放，核心理念是通过三维垂直堆叠存储单元，在降低每比特存储成本的同时，突破传统2D NAND的物理微缩极限。 在芯片有限的面积内平地起高楼，让铠侠Bi... （来源：技术文章频道）

BiCS FLASH铠侠NAND 2026-6-16 11:38

机构：Q1全球半导体营收3190亿美元，NAND达480亿美元

机构：Q1全球半导体营收3190亿美元，NAND达480亿美元

市场研究机构Omdia近日公布数据显示，今年第一季度全球半导体营收达到3190亿美元，较上季度增长27%。这一增速被确认是自2002年Omdia开始追踪该数据以来的最高季度增长率。 本轮增长的核心驱动力来自存储半导体。第一季度存储芯片营收较上季度激增80%以上，带动整体市场上行。值得注意的是，NAND Fla... （来源：新闻频道）

半导体NAND 2026-6-15 17:13

SK海力士年底量产375层NAND，将首次导入钼材料

SK海力士年底量产375层NAND，将首次导入钼材料

据韩国媒体The Elec引述消息人士的话报道称，SK海力士计划今年底开始量产375层3D NAND Flash，并首度在高层数NAND制程中导入钼（Molybdenum，化学符号Mo）材料，以提升产品性能与堆叠密度。 SK还来已完成375层NAND的生产验证，正准备将相关技术导入量产线。虽然SK海力士并未新建晶圆厂，但是其选择在... （来源：新闻频道）

SK海力士NAND 2026-6-12 10:18

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