作者：陈子颖，郑姿清 随着功率半导体IGBT，SiC MOSFET技术的发展和系统设计的优化，电平位移驱动电路应用场景越来越广，电压从600V拓展到了1200V。英飞凌1200V电平位移型颈驱动芯片电流可达+/-2.3A，可驱动中功率IGBT，包括Easy系列模块。目标10kW+应用，如商用HVAC、热泵、伺服驱动器、工业变频器... （来源：技术文章频道）
驱动电路设计 自举电源 CoolMOS 2025-4-2 14:02
作者: 英飞凌科技应用工程师林献崇、洪士恒1. 前言功率因素校正为将电源的输入电流塑形为正弦波并与电源电压同步，最大化地从电源汲取实际功率。 在完美的 PFC 电路中，输入电压与电流之间为纯电阻关系，无任何输入电流谐波。 目前，升压拓扑是 PFC 最常见的拓扑。在效率和功率密度的表现上，必须... （来源：技术文章频道）
英飞凌CoolMOS 连续导通模式 功率因数校正电路 2021-10-25 16:17
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