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英飞凌 CoolMOS 8 为长城电源的电源技术系统性能优化树立了新标杆

英飞凌 CoolMOS 8 为长城电源的电源技术系统性能优化树立了新标杆

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）凭借其硅基功率 MOSFET 技术 CoolMOS™，正在推动服务器电源管理领域的创新，助力打造能够满足数据中心严苛要求的高性能电源解决方案。英飞凌的600V CoolMOS™ 8高压超结（SJ）... （来源：新品频道）

英飞凌 CoolMOS长城电源 2026-1-9 13:05

驱动电路设计（七）——自举电源在5kW交错调制图腾柱PFC应用

驱动电路设计（七）——自举电源在5kW交错调制图腾柱PFC应用

作者：陈子颖，郑姿清 随着功率半导体IGBT，SiC MOSFET技术的发展和系统设计的优化，电平位移驱动电路应用场景越来越广，电压从600V拓展到了1200V。英飞凌1200V电平位移型颈驱动芯片电流可达+/-2.3A，可驱动中功率IGBT，包括Easy系列模块。目标10kW+应用，如商用HVAC、热泵、伺服驱动器、工业变频器... （来源：技术文章频道）

驱动电路设计 自举电源 CoolMOS 2025-4-2 14:02

英飞凌携手Enphase通过600 V CoolMOS 8提升能效并降低 MOSFET相关成本

英飞凌携手Enphase通过600 V CoolMOS 8提升能效并降低 MOSFET相关成本

Enphase Energy采用全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的 600 V CoolMOS™ 8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，简化了系统设计并降低了装配成本。Enphase Energy是全球能源技术公司、基于微型逆变器的太阳能和电池系统的领先供应商。通过... （来源：新品频道）

英飞凌Enphase600 V CoolMOS 8MOSFET 2025-3-28 08:45

英飞凌推出全新600 V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列，适用于高成本效益的先进电源应用

英飞凌推出全新600 V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列，适用于高成本效益的先进电源应用

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出600 V CoolMOS™ 8 高压超结（SJ）MOSFET产品系列。该系列器件结合了600 V CoolMOS™ 7 MOSFET系列的先进特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7产品系列的后续产品。全新超结MOSFET实现了具有高成本效益的硅基解决方案，丰富了英飞... （来源：新品频道）

英飞凌600 V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列先进电源应用 2024-6-26 14:39

英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET

英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS™ S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计，其集成温度传感器在工业应用同类产品（CoolMOS™ S7T）取得的进步基础上，显... （来源：新品频道）

英飞凌温度传感器600 V CoolMOS S7TA MOSFET 2024-6-24 14:50

英飞凌推出带有集成温度传感器的全新 CoolMOS S7T

英飞凌推出带有集成温度传感器的全新 CoolMOS S7T

为提高结温传感的精度，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出带有集成温度传感器的全新CoolMOS™ S7T产品系列。通过在系统中集成该系列半导体产品，可提升许多电子应用的耐用性、安全性和效率。CoolMOS™ S7T具有出色的导通电阻和高精度嵌入式传感器，最适合用于提高固... （来源：新品频道）

英飞凌集成温度传感器 CoolMOS S7T产品系列 2023-12-19 15:13

英飞凌推出适用于高能效电动汽车快充的650V CoolMOS CFD7A

英飞凌推出适用于高能效电动汽车快充的650V CoolMOS CFD7A

向电动汽车的加速转型推动汽车充电系统取得了重要的创新成果，这愈发需要更具成本效益的高性能功率电子器件。为此，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出QDPAK封装，进一步扩展其650 V CoolMOS™ CFD7A产品阵容。与行业熟知的TO247 THD器件相比，采用QDPAK封装的产品系列具... （来源：新品频道）

英飞凌 电动汽车快充 QDPAK封装 2023-11-28 11:05

英飞凌推出950 V CoolMOS PFD7系列，内置集成的快速体二极管

英飞凌推出950 V CoolMOS PFD7系列，内置集成的快速体二极管

英飞凌推出950 V CoolMOS™ PFD7系列，内置集成的快速体二极管，可满足大功率照明系统和工业SMPS应用的需求为了满足当今市场对产品小型化、高能效的需求，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了全新的CoolMOS™ PFD7高压MOSFET系列，为950V 超结（SJ）技术树立了新的... （来源：新品频道）

英飞凌950 V CoolMOS PFD7系列快速体二极管 2022-11-8 14:34

如何将CoolMOS应用于连续导通模式的图腾柱功率因数校正电路

如何将CoolMOS应用于连续导通模式的图腾柱功率因数校正电路

作者: 英飞凌科技应用工程师林献崇、洪士恒1. 前言功率因素校正为将电源的输入电流塑形为正弦波并与电源电压同步，最大化地从电源汲取实际功率。 在完美的 PFC 电路中，输入电压与电流之间为纯电阻关系，无任何输入电流谐波。 目前，升压拓扑是 PFC 最常见的拓扑。在效率和功率密度的表现上，必须... （来源：技术文章频道）

英飞凌CoolMOS 连续导通模式 功率因数校正电路 2021-10-25 16:17

英飞凌650 V CoolMOS CFD7兼具更高效率，更高功率密度

英飞凌650 V CoolMOS CFD7兼具更高效率，更高功率密度

在工业应用 SMPS 的设计上，最新的技术趋势会将高效率、高功率密度及总线电压上升的需求作整体考虑，也因此触发了对 650V击穿电压功率器件的需求。英飞凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) 旗下 650 V CoolMOS™ CFD7 产品系列即可满足上述需求。... （来源：新品频道）

英飞凌CoolMOS 2020-10-10 10:07

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