小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低成本和简化应用设计方面发挥着至关重要的作用。此外，更高的功率密度还能实现灵活的布线并缩小系统的整体尺寸。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2&nbs... （来源：新品频道）
英飞凌OptiMOS功率MOSFETMOSFET器件 2023-8-3 15:58
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 沟道SiHK045N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，为通信、服务器和数据中心电源应用提供了高效解决方案，同时实现栅极电荷下降60 %。... （来源：新品频道）
VishayMOSFETSiHK045N60E 2022-2-21 14:04
更高密度的低功率SMPS设计需要越来越多的高压MOSFET器件。英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出CoolMOS™ P7系列的新成员950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件。该器件甚至能达到最严格的设计要求：用于照明、智能电表、移动充电器、笔记本适配器、AUX电源和工业SMPS应用。这种全新半导体... （来源：新品频道）
智能电表 移动充电器 950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件 2018-8-27 16:22
安森美半导体推出两款新的MOSFET器件，用于智能手机及平板电脑应用，作为锂离子电池充电/放电保护电路开关的关键组成部分。EFC6601R和EFC6602R帮助设计人员减小方案尺寸、提升能效及将电池使用时间延至最长。这两款器件符合RoHS指令，适合于单节及双节锂离子电池应用，提供领先业界的导通阻抗 (RDS(on)... （来源：新品频道）
安森美半导体MOSFET器件EFC6601REFC6602R 2013-6-5 13:52
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。这四款器件皆采用了新型高密度设计，在4.5V下导通电阻低至1.35mΩ，Miller电荷Qgd低至1.8nC，采用PowerPAK® SO-8和... （来源：新品频道）
VishaySiRA00DPSiRA02DPSiRA04DPSiSA04DN 2012-5-8 10:32
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 现为手机和其它超便携应用的设计人员提供一款P沟道PowerTrench® MOSFET器件，满足其对具有出色散热性能的小尺寸电池或负载开关解决方案的需求。 FDMA905P和FDME905PT是具有低导通阻抗的MOSFET，这些器件具有出色的散热性能和小占位尺寸，也非常适合线性... （来源：新品频道）
FairchildMOSFETP沟道PowerTrench 2012-2-23 14:17
便携产品的设计人员通常在设计的每个阶段都会面对减小空间和提高效率的挑战。在超便携应用等使用单节锂离子电池的产品中，这是一个特别重要的问题。 为了帮助设计人员应对减小设计空间和提高效率的挑战，全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 开发出Power... （来源：新品频道）
FairchildPowerTrench MOSFETFDMB2307NZ 2011-12-13 14:45
开关电源的设计人员需要能够耐受反向电流尖刺并降低开关损耗的高电压MOSFET器件，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)凭借精深的MOSFET技术知识，开发出经优化的功率MOSFET产品UniFET™ II MOSFET，新产品具有更佳的体二极管和更低的开关损耗，并可在二极管恢复dv/dt模式下耐受双倍电流应力。... （来源：新品频道）
FairchildMOSFET器件UniFET II 2011-1-25 14:37
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出首款采用PowerPAIR® 6mmx3.7mm封装和TrenchFET Gen III技术的非对称双通道TrenchFET®功率MOSFET --- SiZ710DT，新器件比前一代器件的导通电阻减小43%，同时具有更高的最大电流并提高效率。SiZ710DT在一个小尺寸封装中整合了... （来源：新品频道）
MOSFET器件 Vishay Siliconix 2010-11-16 15:43
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和优化品质因数(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以满足DC-DC设计人员对具有较低开关损耗、较低噪声和紧凑占位面积之MOSFET产品的需求。该器件利用飞兆半导体先进的... （来源：新品频道）
FairchildMOSFET器件FDMS86200 2010-7-22 11:21
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