初期聚焦于用于车载充电器的QDPAK封装碳化硅MOSFET器件奈梅亨，2024年11月6日：Nexperia今天宣布已与领先的汽车供应商KOSTAL（科世达）建立战略合作伙伴关系，旨在生产更符合汽车应用严苛要求的宽禁带(WBG)器件。根据合作条款，Nexperia将开发、制造和供应由Kostal设计和验证的宽禁带功率电子器件。此次... （来源：新闻频道）
NexperiaKOSTAL车载充电器宽禁带功率电子器件MOSFET器件 2024-11-6 11:10
MOSFET、IGBT和BJT等半导体器件的开关速度受到元件本身的电容的影响。为了满足电路的效率，设计者需要知道这些参数。例如，设计一个高效的开关电源将要求设计者知道设备的电容，因为这将影响开关速度，从而影响效率。这些信息通常在MOSFET的指标说明书中提供。 图1. 功率MOSFET的组件级电容 三端功率... （来源：技术文章频道）
MOSFET 高压CV测试 2024-6-7 15:12
小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低成本和简化应用设计方面发挥着至关重要的作用。此外，更高的功率密度还能实现灵活的布线并缩小系统的整体尺寸。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2&nbs... （来源：新品频道）
英飞凌OptiMOS功率MOSFETMOSFET器件 2023-8-3 15:58
只要问任何经验丰富的电气工程师——如我们今天故事里的教授 Gureux ——在 MOSFET 栅极前要放什么，你很可能会听到“一个约 100 Ω 的电阻”。虽然我们对这个问题的答案非常肯定，但你们或许会继续问——“为什么呢？他的具体作用是什么呢？电阻值为什么是 100 Ω 呢”年轻教授Neubean怀着好奇心对于通常... （来源：技术文章频道）
CDC同步器 MOSFET器件 MOS管栅极 2022-7-5 10:12
作者：James Victory现在介绍该模型的几个元素，如下所示。首先，我们讨论关键通道区域。这里我们使用著名的伯克利BSIM 3v3模型。只要有可能，我们就尽力不做重复工作。在本例中，我们尝试建模一个适合BSIM模型的MOSFET通道。该模型以物理为基础，通过亚阈值、弱反和强反准确地捕捉转换过程。此外，它具... （来源：技术文章频道）
碳化硅功率 MOSFET器件 2022-5-19 09:27
俗话说“人无远虑必有近忧”，对于电子设计工程师，在项目开始之前，器件选型之初，就要做好充分考虑，选择最适合自己需要的器件，才能保证项目的成功。功率MOSFET恐怕是工程师们最常用的器件之一了，但你知道吗？关于MOSFET的器件选型要考虑方方面面的因素，小到选N型还是P型、封装类型，大到MOSFET的... （来源：技术文章频道）
MOSFET器件 功率器件 2022-4-19 13:22
如今，以GaN和SiC为代表的第三代半导体技术风头正劲。与传统的半导体材料相比，GaN和SiC禁带宽度大、击穿电场强度高、电子迁移率高、热导电率大、介电常数小、抗辐射能力强……因此可实现更高的功率密度、更高的电压驱动能力、更快的开关频率、更高的效率、更佳的热性能、更小的尺寸，在高温、高频、高... （来源：技术文章频道）
GaN电源系统 集成驱动器 MOSFET器件 2022-3-1 11:17
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 沟道SiHK045N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，为通信、服务器和数据中心电源应用提供了高效解决方案，同时实现栅极电荷下降60 %。... （来源：新品频道）
VishayMOSFETSiHK045N60E 2022-2-21 14:04
俗话说“人无远虑必有近忧”。对于电子设计工程师，在项目开始之前、器件选型之初，就要做好充分考虑，选择Z适合自己需要的器件，才能保证项目的成功。功率MOSFET恐怕是工程师们Z常用的器件之一了，但你知道吗？关于MOSFET的器件选型要考虑各方面的因素，小到选N型还是P型、封装类型；大到MOSFET的耐压... （来源：技术文章频道）
功率MOSFETMOSFET器件 2021-11-3 10:08
多年来，半导体技术的发展已取得了令人瞩目的成果。当今的设备具有显着改善的性能，特别是在降低漏源导通状态电阻，降低栅极电荷和提高开关速度方面。整个系统的低功耗和高性能是当今竞争激烈的世界中的游戏名称。大多数功率MOSFET器件都用作高频应用中的开关，在这些应用中，开关速度是必不可少的应用... （来源：技术文章频道）
MOSFET器件 半导体技术 2021-8-6 09:47
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