据外媒Wccftech报道,随着高带宽内存(HBM)持续朝更高堆叠层数与更高带宽演进,市场普遍认为混合键合(Hybrid Bonding)为下一代HBM关键封装技术。不过韩国业界消息传出,三星可能将混合键合HBM大规模量产时间延后至2029至2030年,并与英伟达下一代Feynman AI GPU平台同步导入。 资料显示,引入混合... (来源:新闻频道)
三星HBM 2026-7-22 16:43
JEDEC 固态技术协会美国弗吉尼亚州当地时间 13 日正式发布了今年 6 月完成的 SPHBM4 规范。这一规范可大致认为是原版 HBM 适配标准有机基板的实现方式。 SPHBM4 采用与 HBM4 相同的 DRAM 裸片但配备全新的接口基础裸片 (Base Die),使其能够安装在成本更低的标准有机基板上,无需昂贵的硅基板。 ... (来源:新闻频道)
SPHBM4 HBM4 2026-7-14 13:00
当地时间7月4日,美光科技公司为其日本广岛工厂扩建举行了奠基仪式,该项目投资1.5万亿日元(93亿美元)的项目,旨在生产包括高带宽存储器(HBM)在内的先进存储芯片,以满足人工智能(AI)浪潮带来的旺盛需求。 据介绍,美光广岛工厂的扩建项目预计将于2028年夏季左右开始量产出货。日本经济产... (来源:新闻频道)
美光HBM 2026-7-6 10:18
据 X 平台博主 @jukan05 消息,三星电子在率先实现第六代高带宽内存(HBM4)量产后,如今在第七代产品 HBM4E 以及下一代 DRAM 的研发上也取得了显著进展。三星电子首席技术官(CTO)兼半导体研发中心社长 Song Jai Hyuk 在近日的一场内部高管简报会上表示,HBM4E 的可靠性测试良率(合格品率)已提升至... (来源:新闻频道)
三星 HBM4E内存 2026-7-1 16:44
6月18日,存储芯片大厂SK海力士宣布,凭借长期累积的HBM领先开发能力与量产经验,已成功向主要客户提供12层堆叠HBM4E样品。SK海力士表示,公司将与主要客户密切合作,确保产品能如期进入量产阶段。 SK海力士此次推出的新产品相较前一代HBM4,在性能与能效方面均有显著提升。HBM4E的引脚(Pin)传... (来源:新闻频道)
SK海力士HBM4E 2026-6-18 10:22
据报道,三星电子与SK海力士正讨论在韩国湖南地区建立首座半导体后端封装工厂,光州、新万金、务安等多处候选地均在评估中。 三星电子考虑将光州和新万金作为第二封装枢纽选址,光州为首选;SK海力士则在光州与务安之间权衡。此次若落地,将是两大巨头首次在湖南地区设立半导体生产设施。 选... (来源:新闻频道)
三星SK海力士半导体封装HBM 2026-6-15 15:36
6月8日,三星电子副会长、半导体业务负责人兼DS(设备解决方案)部门负责人全永铉宣布,在首尔中区新罗酒店与英伟达CEO黄仁勋会面,讨论了关于后续HBM4E和HBM5的供应以及晶圆代工业务的合作事宜。 除了黄仁勋和全永铉之外,英伟达机器人产品营销高级总监Madison Huang(黄仁勋女儿)、 英伟达高... (来源:新闻频道)
三星黄仁勋HBM晶圆代工 2026-6-9 10:06
据彭博社报道,英伟达公司首席执行官黄仁勋首次确认,英伟达已对三家最大的内存芯片制造商进行了认证,允许其为英伟达的人工智能(AI)加速器供应其最先进的高带宽产品。 黄仁勋表示,已批准三星电子、SK 海力士和美光科技供应 HBM4(高带宽内存、High Bandwidth Memory),这是英伟达用于人工智能工... (来源:新闻频道)
英伟达HBM4 内存 2026-6-5 17:11
近日,在COMPUTEX 2026展会上,三星电子以“全方位解决方案”(Total Solution)为主题,向外界展示了其作为全球存储芯片大厂在AI存储领域的统治力。 面对越来越“热”的AI算力需求,三星不仅首次公开展示了下一代HBM4E晶圆与芯片,更详细介绍了瞄准HBM5时代的神秘核心技术&mda... (来源:新闻频道)
三星HBM5HPB散热 2026-6-3 14:07
集邦咨询 2 日下午发布的最新研究指出,自 2025 年下半年以来,一般型 DRAM(Conventional DRAM)价格大涨,反映供不应求形势之际,三大原厂的 HBM 年度议价机制,导致 HBM 合约价无法及时反映市场的季度涨价趋势。 随着时序进入今年 Q2,买卖双方正在对 2027 年的主流产品 HBM4 供应进行谈判。集邦... (来源:新闻频道)
HBM 2026-6-3 09:08