根据Counterpoint Research最新发布的数据,2026年第二季度全球高带宽存储器(HBM)市场格局出现显著变化。三星电子市场份额大幅提升至33%,与行业龙头SK海力士的差距明显缩小,HBM市场竞争正趋于激烈。 2026年第二季度,SK海力士以50%的市场份额继续领跑全球HBM市场(按销售额计算),但其领先地位... (来源:新闻频道)
三星HBM 2026-9-4 09:15
2026年9月1日,在SEMICON Taiwan 2026 存储高峰论坛上,三星电子存储产品规划部门副社长崔璋石(Jangseok Choi)以“开启智慧新维度,以3D整合技术驱动AI时代”为题发表主题演讲,正式对外揭露其下一代存储技术布局与“CUBE”策略。 CUBE战略:聚焦四大技术方向 崔璋石指出,... (来源:新闻频道)
三星CUBE3D存储zHBM 2026-9-2 15:05
据媒体报道,长鑫存储已正式启动HBM3E内存的风险试产,标志着其在高端高带宽内存领域迈出关键一步。 目前,长鑫存储正积极扩大产能,预计到今年年底,DRAM月产能有望达到35万片晶圆,并在未来几年持续爬坡,以应对日益增长的AI与高性能计算需求。 据了解,当前长鑫存储的HBM3E生产规模仍较为有限... (来源:新闻频道)
长鑫存储HBM3E 2026-9-1 10:21
SK海力士正考虑将部分HBM基础裸片(Base Die)的生产交由英特尔代工,以减少对台积电晶圆代工的过度依赖。该计划预计将从第七代HBM芯片HBM4E开始逐步推进。 在HBM3E及此前世代,SK海力士一直采用内部产线生产基底芯片。然而,随着基础裸片对逻辑功能与性能要求的持续提升,自HBM4起,公司已转由台积... (来源:新闻频道)
SK海力士HBM 2026-8-31 16:06
SK海力士宣布,当地时间8月27日在美国印第安纳州西拉斐特举行AI存储器先进封装生产基地奠基仪式。 这是SK海力士在美国的首个HBM生产据点,印第安纳州州长、参议员、普渡大学校长以及SK海力士CEO郭鲁正等高管出席本次活动。 SK海力士CEO郭鲁正 该项目总投资超过40亿美元,工厂无尘室计划2028... (来源:新闻频道)
SK海力士HBM 2026-8-28 10:15
外资投行瑞银(UBS)最新研究报告指出,由于供给严重短缺,美光(Micron)通用DRAM的毛利率已正式超越专为AI设计的高带宽内存(HBM)。 根据瑞银的研究,美光的通用DRAM的毛利率成长轨迹极为惊人。在2025年期间约44%至50%,2026年2月飙升至80%,2026年的5月到8月则是攀升至89%与91%。预计2026年底更... (来源:新闻频道)
HBM美光DRAM 2026-8-17 09:25
据韩国媒体 ZDNet Korea 报道,三星电子将调整其位于器兴园区、正在建设中的NRD-K 2号生产线从原先的研发用途转变为晶圆代工(Foundry)专用的中继晶圆厂(Send-Fab),以扩大晶圆代工产能。 报道指出,NRD-K 2是三星为了抢占未来半导体技术先机,正在建设的超大型尖端复合研发园区。三星计划在2030... (来源:新闻频道)
三星NRD-K 2HBM 2026-8-17 09:04
随着人工智能(AI)和高性能计算(HPC)系统规模不断扩大,内存带宽逐步成为制约系统性能提升的关键因素 。更大规模的模型、更高的计算密度,以及日益复杂的 Multi-Die 设计,都对内存接口提出了更高要求——不仅需要提供极高的带宽,还必须在功耗和信号完整性方面保持严格控制。高带宽内存(... (来源:技术文章频道)
HBM4 测试芯片AI算力HPC人工智能AI 2026-8-14 09:36
三星电子第六代高带宽内存HBM4的量产良率已接近80%,提前约四个月达成年度目标,标志着这家韩国芯片巨头在高端AI存储芯片领域的竞争力正快速回升。 据首尔经济日报8月9日报道,三星电子HBM4良率近期已接近80%水平。今年2月量产初期,该产品良率尚不足60%,而原定年末目标为80%——如今提前... (来源:新闻频道)
三星HBM4英伟达Vera Rubin 2026-8-10 15:06
科技媒体 The Information 昨日(8 月 6 日)发布博文,报道称英伟达为了应对 HBM 内存供应短缺问题,考虑降低 Rubin Ultra GPU 配置。 该媒体援引 3 名知情人士消息,称英伟达内部在过去数周时间里,至少测试了 3 种低 HBM 配置的 Rubin Ultra GPU,其所需的 HBM 容量低于该公司最初公布的规格。 ... (来源:新闻频道)
HBM 英伟达Rubin Ultra GPU 2026-8-7 11:01