三星副会长：与黄仁勋讨论了HBM供应及晶圆代工合作

6月8日，三星电子副会长、半导体业务负责人兼DS（设备解决方案）部门负责人全永铉宣布，在首尔中区新罗酒店与英伟达CEO黄仁勋会面，讨论了关于后续HBM4E和HBM5的供应以及晶圆代工业务的合作事宜。

除了黄仁勋和全永铉之外，英伟达机器人产品营销高级总监Madison Huang（黄仁勋女儿）、 英伟达高级副总裁 Jeff Fisher、三星存储器业务副总裁金在俊也出席了此次会议。

全永铉说：“我们与英伟达合作已久，今天我认为我们进行了最好的对话。我们已经大量讨论了关于明年HBM4E、HBM5和晶圆代工业务的长期合作。”他还补充道：“短期内，我们需要从今年开始充足供应HBM4和SOCAMM。”

当被记者问及扩大与英伟达晶圆代工合作的讨论细节时，全永铉回答称：“我们正在合作开发采用4nm和8nm工艺的自动驾驶芯片，以及为英伟达代工Grok 3 芯片，同时也在讨论下一代合作。”

目前，三星电子正在向英伟达下一代AI加速器“Vera Rubin”提供速率高达11.7Gbps的HBM4（第六代），该加速器已开始大规模量产。面向Vera CPU，三星也提供了基于LPDDR5X的SOCAMM 2，以及基于PCIe Gen6（第六代）的PM1763。

最近三星还完成了全球首批第七代产品HBM——HBM4E的样品发货，并向英伟达提供了样品。三星的HBM4E将最先进的1c DRAM核心芯片与自家晶圆厂4nm工艺制造的基础芯片结合，每针脚速度为14Gbps，最高可达16Gbps（最大4TB/s带宽）。

6月8日早间，黄仁勋在宣布与SK海力士最新合作时，指出“SK海力士是英伟达最大的内存合作伙伴，未来也将继续是最大的内存合作伙伴”。全永铉对此回应称：“我们会努力工作，稍后会向大家展示成果。”

当被问及三星电子是否计划与英伟达签订长期内存供应合同时，全永铉表示：“我们将尽最大努力，作为最佳合作伙伴，我们将尽最大努力确保英伟达的成功。”