近日，泰克科技与远山半导体的合作迎来又一重要里程碑，双方携手对远山半导体最新推出的1700V GaN器件进行了深入测试与评估，成果斐然，为该器件在高端应用市场的拓展注入强劲动力。 此前，远山半导体凭借其在高压GaN器件领域的持续创新，已成功推出多款产品，并逐步将额定电压提升至1700V，这一电压... （来源：新闻频道）
泰克远山半导体GaN器件 2025-1-15 14:03
将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。 近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN器件的... （来源：新闻频道）
ROHM GaN器件超高速驱动控制 IC 技术 2023-3-7 15:20
以高性能GaN器件应对能源管理挑战隶属于博世集团的罗伯特·博世创业投资公司（以下简称“博世创投”）已完成对广东致能科技有限公司（以下简称“致能科技”）的Pre-A轮投资。致能科技总部位于广州，是国内领先的氮化镓IDM(Integrated Device Manufacturer)公司。凭借其在氮化镓器件领域的丰富经验和创新... （来源：新闻频道）
可再生能源 GaN器件 2022-9-14 09:04
参与有关GaN、锗化硅、汽车应用、先进封装等等主题的现场讨论；观看点播视频演示半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布将在7月2日和3日举办线上研讨会“Power Live”，会议议程涵盖有关电源电子的广泛主题，包括GaN器件、锗化硅(SiGe)整流器、汽车应用和封装技术等。 参与者可以... （来源：新闻频道）
Nexperia Power Live GaN器件锗化硅(SiGe)整流器 2020-6-30 14:36
半导体技术在不断提升，端设备对于半导体器件性能、效率、小型化要求的越来越高。寻找硅（Si）以外新一代的半导体材料也随之变得更加重要。在50多年前被广泛用于LED产品的氮化镓（GaN），再次走入大众视野。特别是随着5G的逐步商用，也进一步推动了以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）代表的第三代半导体材... （来源：新闻频道）
5GGaN器件SiC 2020-5-8 16:09
氮化镓（GaN）作为半导体第三代材料，近年来高频进入业界视野。各大IC厂商先后涉足氮化镓领域，源由氮化镓的宽禁带、高击穿电压、大热导率等特性，确立了其在制备宽波谱、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位，GaN器件正在向各应用领域渗透着。以电源管理为例，随着新应用对... （来源：新闻频道）
PI 氮化镓（GaN） GaN器件 2019-9-5 16:59
经过了多年的探索和研究之后，氮化镓（GaN）等宽禁带材料终于进入了大爆发前的最后冲刺阶段。面对这个十亿美元级别的市场，国内外厂商正在摩拳擦掌，纷纷推出新品，以求在这个市场与竞争对手一决高下。全球功率半导体供应商英飞凌也在近日宣布了他们在GaN方面的最新进展。 未来几年GaN市场的营收预测 ... （来源：新闻频道）
GaN器件贴片式(SMD)封装 2018-12-10 14:05
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