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ROHM首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极驱动器IC开始量产

ROHM首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极驱动器IC开始量产

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通过与本产品组合使用，可使GaN器件在高频、高速开关过程中实现更稳定的驱动，有助于电机和服务器电源等大电流应用进一步缩减体积并提高效率。 ... （来源：新品频道）

ROHMGaN器件隔离型栅极驱动器IC 2025-5-27 16:04

泰克与远山半导体合作再结硕果，共推1700V GaN器件迈向新高度

泰克与远山半导体合作再结硕果，共推1700V GaN器件迈向新高度

近日，泰克科技与远山半导体的合作迎来又一重要里程碑，双方携手对远山半导体最新推出的1700V GaN器件进行了深入测试与评估，成果斐然，为该器件在高端应用市场的拓展注入强劲动力。 此前，远山半导体凭借其在高压GaN器件领域的持续创新，已成功推出多款产品，并逐步将额定电压提升至1700V，这一电压... （来源：新闻频道）

泰克远山半导体GaN器件 2025-1-15 14:03

如何在设计中轻松搭载GaN器件？答案内详~~

如何在设计中轻松搭载GaN器件？答案内详~~

如今，围绕第三代半导体的研发和应用日趋火热。由于具有更大的禁带宽度、高耐压、高热导率、更高的电子饱和速度等特点，第三代半导体材料能够满足未来电子产品在高温、高功率、高压、高频等方面更高的要求，被认为是突破传统硅（Si）器件性能天花板的必由之路。氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）并称为第三... （来源：技术文章频道）

GaN器件 碳化硅 2024-10-25 10:25

使用GaN器件可以减小外置医用AC/DC电源的体积

使用GaN器件可以减小外置医用AC/DC电源的体积

作者：Bill Schweber尽管电池技术和低功耗电路不断取得进步，但对于许多应用来说，完全不依赖纯电池设计可能是不可行、不适用和无法接受的。医疗系统就属于这类应用。相反，设备通常必须直接通过 AC 线路运行，或至少在电池电量不足时连接 AC 插座即可运行。除了满足基本的 AC/DC 电源性能规范外，医用... （来源：技术文章频道）

GaN器件AC／DC电源 2024-1-22 10:21

ROHM开发出可更大程度激发GaN器件性能的超高速栅极驱动器IC

ROHM开发出可更大程度激发GaN器件性能的超高速栅极驱动器IC

~采用业界先进的纳秒量级栅极驱动技术，助力LiDAR和数据中心等应用的小型化和进一步节能~全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款超高速驱动GaN器件的栅极驱动器IC“BD2311NVX-LB”。 近年来，在服务器系统等领域，由于IoT设备的需求日益增长，电源部分的功率转换效率提升和设备... （来源：新品频道）

ROHM栅极驱动器ICBD2311NVX－LB 2023-10-19 15:05

意法半导体量产PowerGaN器件，让电源产品更小巧、更清凉、更节能

意法半导体量产PowerGaN器件，让电源产品更小巧、更清凉、更节能

氮化镓(GaN)产品让消费电子、工业和汽车系统更高效、更紧凑意法半导体宣布已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件。STPOWER™ GaN晶体管提高了墙插电源适配器、充电器、照明系统、工业电源、可再生能源发电、汽车电气化等应用的性能。 该系列... （来源：新品频道）

意法半导体PowerGaN器件GaN 2023-8-3 15:36

ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术

ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术

将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。 近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN器件的... （来源：新闻频道）

ROHM GaN器件超高速驱动控制 IC 技术 2023-3-7 15:20

大联大友尚集团推出基于onsemi产品的500W服务器电源方案

大联大友尚集团推出基于onsemi产品的500W服务器电源方案

2022年12月21日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1681控制器和NCP58921 GaN器件的500W服务器电源方案。 图示1-大联大友尚基于onsemi产品的500W服务器电源方案的展示板图 近年来，公有云、私有云市场的快速增长以及数据中心大量... （来源：技术文章频道）

NCP58921 GaN器件 500W服务器电源方案 2022-12-21 14:24

博世创业投资公司投资致能科技，加速第三代半导体布局

以高性能GaN器件应对能源管理挑战隶属于博世集团的罗伯特·博世创业投资公司（以下简称“博世创投”）已完成对广东致能科技有限公司（以下简称“致能科技”）的Pre-A轮投资。致能科技总部位于广州，是国内领先的氮化镓IDM(Integrated Device Manufacturer)公司。凭借其在氮化镓器件领域的丰富经验和创新... （来源：新闻频道）

可再生能源 GaN器件 2022-9-14 09:04

增强型器件优于双芯片式常关型GaN FET吗？

增强型器件优于双芯片式常关型GaN FET吗？

加贺富仪艾电子旗下代理品牌Transphorm是一家致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓（GaN）半导体功率器件的公司。宽泛的产品使用范围，使得Transphorm积累了不少使用者的提问及反馈，这里我们就分享一个“关于增强型器件和双芯片式常关型GaN FET”的问题，供大家在产... （来源：技术文章频道）

GaN FET GaN器件 2021-11-8 14:03

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