New Tech Tuesdays 与贸泽技术内容团队一起，每周了解面向设计工程师的各种有趣、新奇和值得关注的动态。 在电力电子领域，设计方案很少会在仿真阶段出现问题，而往往是在实际应用中才暴露缺陷。工程师可以在硬件制造之前很久，就对效率、热裕度和瞬态响应进行验证。然而，现实环境中的各种应力，... （来源：技术文章频道）
恶劣环境 高频电源 电源设计 2026-7-22 10:37
1 简介GaN FET 实现了高频电源转换器设计。凭借出色的开关特性和零反向恢复损耗，这种轻量级设计具有更高的功率密度和更小的尺寸。为了充分利用 GaN 的快速开关速度，需要更大限度地减小电源环路电感。这需要仔细考虑PCB 布局，并对 GaN FET 采用电感超低的封装。TI 的 LMG341XRxxx 系列采用 8mm ... （来源：技术文章频道）
GaN 功率级设计 高频电源转换器 2021-3-1 15:10
GaN有许多性能优势，包括远高于硅的电子迁移率(3.4eV对比1.1eV)，这使其具有比硅高1000倍的电子传导效率的潜力。值得注意的是，GaN的门极电荷(QG)较低，并且由于必须在每个开关周期内对其进行补充，因此GaN能够以高达1 MHz的频率工作，效率不会降低，而硅则难以达到100 kHz以上。此外，与硅不同，GaN没... （来源：技术文章频道）
GaN电源设计电压 2020-3-23 15:15
作者：安森美半导体策略营销总监Yong Ang 在所有电力电子应用中，功率密度是关键指标之一，这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限，设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓（GaN）来提供方案。 对于新技术而言，GaN本质上比其将取代的技术（硅）成本低。GaN器件与... （来源：技术文章频道）
氮化镓电源设计宽禁带技术 2020-3-16 09:41
作者：安森美半导体策略营销总监Yong Ang在所有电力电子应用中，功率密度是关键指标之一，这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限，设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓（GaN）来提供方案。对于新技术而言，GaN本质上比其将取代的技术（硅）成本低。 GaN器件与硅器件... （来源：技术文章频道）
氮化镓(GaN) GaN电源开关 2020-1-20 09:27
摘要:IDT公司的ZSPM9060是新一代全优化超小型MOSFET和驱动器功率级解决方案,集成了驱动器IC,两个功率MOSFET和自举肖特基二极管,用于大电流高频同步降压DC/DC转换器.器件基于Intel® 4.0 DrMOS标准,电流高达60A,三态3.3V PWM输入驱动器,优化系统效率大于93%,和通常的分立解决方案相比,节省面积72%,主... （来源：解决方案频道）
电源管理DC／DC转换器DrMOS 2017-3-13 10:42
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![[原创] IDT ZSPM9060DrMOS大电流高频电源功率级解决方案](http://www.tiexinbb.com/uploads/solution/201703/sm_20170313104308.jpg)
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