氮化镓(GaN)接替硅，支持高能效、高频电源设计

作者：安森美半导体策略营销总监Yong Ang在所有电力电子应用中，功率密度是关键指标之一，这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限，设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓（GaN）来提供方案。对于新技术而言，GaN本质上比其将取代的技术（硅）成本低。 GaN器件与硅器件... （来源：技术文章频道）

氮化镓(GaN) GaN电源开关 2020-1-20 09:27