GaN 功率级设计的散热注意事项

1 简介GaN FET 实现了高频电源转换器设计。凭借出色的开关特性和零反向恢复损耗，这种轻量级设计具有更高的功率密度和更小的尺寸。为了充分利用 GaN 的快速开关速度，需要更大限度地减小电源环路电感。这需要仔细考虑PCB 布局，并对 GaN FET 采用电感超低的封装。TI 的 LMG341XRxxx 系列采用 8mm ... （来源：技术文章频道）

GaN 功率级设计 高频电源转换器 2021-3-1 15:10