韩媒 ETNEWS 当地时间报道称，在 DRAM 尤其是 HBM 业务竞争力恢复后，三星电子设备解决方案 (DS) 部开始就重启半导体新业务的研发和投资进行讨论。 此次讨论的重点包括下一代 (V10) NAND 闪存、化合物半导体、先进封装及基板，都是处于三星电子技术路线图上但进展相对缓慢的领域。随着内部资源出现富... （来源：新闻频道）
三星电子半导体V10 NAND 2026-5-12 10:13
据Trendforce报道，SK海力士确认将于2027年初量产第十代V10 NAND闪存，核心突破在于首次采用300+层堆叠架构并集成混合键合技术（Hybrid Bonding）。 该技术通过将存储阵列晶圆与外围电路晶圆分别制造后垂直键合，形成单一高性能单元，显著提升产品良率、数据传输效率及生产效益。 此举颠覆了行业... （来源：新闻频道）
SK海力士NAND 2025-12-10 09:54
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