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顶面散热新封装！ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET

顶面散热新封装！ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封装。新产品为可自动安装的表贴型产品，通过采用将散热面置于封装顶部的结构，实现了与插装型封装（TO-247-4L）同等级别的散热性能。在将该器件用于电动汽车（xEV）的车载充电器（... （来源：新品频道）

ROHMSiC MOSFET 2026-7-13 09:13

顶面散热新封装！ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET

顶面散热新封装！ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封装。新产品为可自动安装的表贴型产品，通过采用将散热面置于封装顶部的结构，实现了与插装型封装（TO-247-4L）同等级别的散热性能。在将该器件用于电动汽车（xEV）的车载充电器（... （来源：新品频道）

SiC MOSFET 2026-7-10 16:48

ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品

ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出600V耐压超级结MOSFET*1新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。 为满足各种应用对电源更小型和更高效率日益增长的需求，在现有封装基础上，新增了DFN8080-5L（8.0 × 8.0 × 0.85mm）和TOLL（... （来源：新品频道）

ROHMMOSFETR60xxXNxR60xxWNx 2026-6-16 15:06

三星官方披露HPB封装技术，可大幅提升移动处理器散热性能

三星官方披露HPB封装技术，可大幅提升移动处理器散热性能

在韩国三星电子低调地发布了Exynos 2600 移动处理器之后，三星电子代工部门进一步公开了其芯片设计中最具突破性的核心技术FoWLP_HPB，这被视为解决当前移动芯片散热难题的关键方案。此前还有市场消息指出，该技术已引起包括苹果（Apple）与高通（Qualcomm）在内的竞争对手高度关注。 根据三星电... （来源：新闻频道）

三星HPB封装 2026-1-21 16:08

Qorvo推出全新紧凑型解决方案QPQ3550和QPA9862，以优化射频尺寸与散热性能简化5G基础设施部署

Qorvo推出全新紧凑型解决方案QPQ3550和QPA9862，以优化射频尺寸与散热性能简化5G基础设施部署

近日，全球领先的连接和电源解决方案供应商Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）推出两款先进的射频组件，专为满足5G大规模多输入多输出（mMIMO）和固定无线接入（FWA）部署中对更高性能、更高集成度和更紧凑射频设计的需求而量身定制。 Qorvo无线基础设施业务部总监Debbie Gibson表示：“随着... （来源：新品频道）

QorvoQPQ3550QPA9862射频 2025-6-19 10:21

Vishay 新款具有领先导通电阻性能的80 V MOSFET可极大改善工业应用的热性能和可焊性

Vishay 新款具有领先导通电阻性能的80 V MOSFET可极大改善工业应用的热性能和可焊性

这款节省空间的器件最大RthJC低至0.36 ℃ / W，并配有易于吸附焊锡的侧翼，从而改善工业应用的热性能和可焊性 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款采用无引线键合（BWL）封装并具有业内先进导通电阻的新款80 V TrenchFET® Gen IV N... （来源：新品频道）

Vishay MOSFET导通电阻 2025-5-30 11:04

基于热性能的NIS(V)3071 PCB设计考虑因素

基于热性能的NIS(V)3071 PCB设计考虑因素

单片电子保险丝（eFuse）NIS(V)3071能够提供高达10 A 连续电流，在设计它的PCB时热性能是重要的考量因素，在设计PCB热特性时，需要考虑eFuse的两种工作模式：软开关开通阶段和稳定工作状态。在软开关开通阶段，eFuse的短期功率耗散可达几十瓦，而稳定工作状态时则可能为几瓦。本文将通过比较四层和两层... （来源：技术文章频道）

EFuse PCB 单片电子保险丝 NIV3071 2024-7-19 11:26

京瓷开发出新型半导体制冷模块，吸热性能提升

京瓷开发出新型半导体制冷模块，吸热性能提升

京瓷株式会社(社长:谷本秀夫,以下简称京瓷)自2006年起开始研发半导体制冷模块(热电模块),近日,京瓷成功研发出了吸热性能更强的新产品。此次京瓷新开发的半导体制冷模块,相比以往产品,最大吸热量※1提升了21%,冷却性能增强。该产品主要应用于汽车电池和座椅的温度调节,此次冷却性能的提升,有助于延长电池... （来源：新品频道）

京瓷半导体制冷模块 2024-7-11 14:24

Vishay的新款80 V对称双通道 MOSFET的RDS(ON) 达到业内先进水平，可显著提高功率密度、能效和热性能

Vishay的新款80 V对称双通道 MOSFET的RDS(ON) 达到业内先进水平，可显著提高功率密度、能效和热性能

节省空间型器件所需PCB空间比PowerPAIR 1212封装分立器件减少50 %，有助于减少元器件数量并简化设计日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT，将高边和低边TrenchFET® Gen IV MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 ... （来源：新品频道）

Vishay 80 V对称双通道 MOSFET SiZF4800LDT 2024-3-14 14:33

Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件，助力计算、人工智能、能源和汽车电源系统实现卓越的热性能和电气性能

Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件，助力计算、人工智能、能源和汽车电源系统实现卓越的热性能和电气性能

新推出器件是业界首款采用顶部散热的 TOLT 氮化镓晶体管，扩展Transphorm多样化的产品封装组合代表着下一代电源系统未来的，氮化镓（GaN）功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码：TGAN）近日宣布新推出一款TOLT封装形式的SuperGaN® FET。新产品TP65H070G4RS 晶体管的导通... （来源：新闻频道）

TransphormTOLT封装FET器件TP65H070G4RS 晶体管 2023-11-29 11:13

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