作者： Vishay高级市场开发经理Jorge Lugo，高级产品市场经理Andrew Mason本文为大家介绍氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势，以及如何权衡利弊。主要权衡因素之一是开关损耗，开关损耗会被高di/dt和dv/dt放大，造成电路噪声。为了减少电路噪声，需要认真考虑栅极电阻的... （来源：技术文章频道）
功率逆变器 栅极电阻 2023-9-21 11:53
自从宽带隙材料被引入各种制造技术以来，通过使用MOSFET、晶闸管和 SCR等功率半导体器件就可以实现高效率。为了优化可控制造技术，可以使用特定的导通电阻来控制系统中的大部分功率器件。对于功率 MOSFET，导通电阻仍然是优化和掺杂其单元设计的关键参数。电导率的主要行业标准是材料技术中的特定导通电... （来源：技术文章频道）
SiC 功率二极管 宽带隙半导体器件 2023-4-12 10:17
作者：Riccardo Collura，EMEA 垂直部门经理（电源），富昌电子为硅 MOSFET 或 IGBT 设计栅极驱动电路时，工程师总是必须对长期的成本/性能权衡做出精确判断。设计人员对所选开关的特定特性的理解有助于做出决策，例如是使用隔离式驱动器还是非隔离式驱动器，以及应用中可接受的最... （来源：技术文章频道）
宽带隙(WBG) 栅极驱动电路 隔离式驱动器 2022-9-2 11:31
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