作者： Vishay高级市场开发经理Jorge Lugo，高级产品市场经理Andrew Mason本文为大家介绍氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势，以及如何权衡利弊。主要权衡因素之一是开关损耗，开关损耗会被高di/dt和dv/dt放大，造成电路噪声。为了减少电路噪声，需要认真考虑栅极电阻的... （来源：技术文章频道）
功率逆变器 栅极电阻 2023-9-21 11:53
如果设计需要出色功率效率的电子应用，请考虑使用新型高性能氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）技术。与传统的电子开关硅解决方案相比，这些新的宽带隙技术具有显着的优势。它们具有更小的物理芯片尺寸、卓越的导热性和管理能力以及更低的开关损耗，非常适合空间受限的应用，例如工业、医疗、电信和汽车应用... （来源：技术文章频道）
功率逆变器栅极电阻器 2023-8-4 10:45
看到一篇推文，“Why 100Ω? 较真的教授发现简单结论背后不简单的问题”，对MOSFET管栅极为什么放置“一个约100Ω串联电阻”进行讨论。推文一开始就讲到：只要问任何经验丰富的电气工程师——如我们今天故事里的教授 Gureux ——在 MOSFET 栅极前要放什么，你很可能会听到“一个约 100 Ω 的电阻”。虽然我... （来源：技术文章频道）
栅极电阻 MOSFET栅极 2022-8-4 09:26
Vishay推出新系列高功率、大电流栅极电阻---GRE1。Vishay Milwaukee GRE1器件具有6.5kW的高功率和+400℃的工作温度，以及稳健的设计，可直接替换竞争的解决方案。 今天发布的栅极电阻在+40℃下的功率为1kW～6.5kW，适用于机车、谐波滤波器、可再生能源以及工业系统里的电容器预充电和放电、电阻制动... （来源：新品频道）
Vishay高功率大电流栅极电阻GRE1 2014-5-15 15:24
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