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9 条关于“IGBT”的信息,用时:0.001 sec.
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HCPL3180:2A输出电流高速IGBT/MOSFET栅极驱动光耦合器, 包括有GaAs LED,最小的蜂值电流2A,最大开关频率250kHz,整个温度范围传输时延最大为200ns,1500V共模抑制为10kV/us,脉宽失真20ns,工作电压10V-20V,工作温度-40度到100度C,可用在等离子显示屏(PDP),分布式电源结构(DPA),开关模式整流器,高性能DC/DC转...
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HCPL5120/5121:2A IGBT栅极驱动光耦合器,能直接驱动1200V/100A的IGBT,包括耦合到有功率输出级的IC的GaAs LED,军用温度范围-55度到125度C的全保证性能, MILPRF- 38534证书,陶瓷密封封装,和HCPL-3120的功能兼容,0.5V低电平输出电压,Vcm=1000V时的共模抑制比大于10KV/us,最大工作电流为5mA,传输时延小于50...
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HCPL- 5150:0.5A IGBT栅极驱动光耦合器,能直接驱动1200V/50A的IGBT,包括耦合到有功率输出级的IC的GaAs LED,军用温度范围-55度到125度C的全保证性能, MILPRF- 38534证书,陶瓷密封封装,和HCPL-3120的功能兼容,0.5V低电平输出电压,Vcm=1000V时的共模抑制比大于10KV/us,最大工作电流为5mA,传输时延小于500n...