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高压IGBT模块用高可靠氮化铝陶瓷覆铜板的研究及其焊接设备 2017-01-03

高压IGBT模块用高可靠氮化铝陶瓷覆铜板的研究及其焊接设备2017-1-3 摘自诚联恺达绝缘栅双极晶体管(IGBT)是实现电能转换和控制的最先进的电力电子器件，大规模应用于电动汽车、电力机车、智能电网等领域。氮化铝陶瓷覆铜板既具有陶瓷的高导热性、高电绝缘性、高机械强度、低膨胀等特性，又具...

一篇文章看懂国内外IGBT产业链 2016-12-13

一篇文章看懂国内外IGBT产业链2016-12-13 摘自传感器与物联网IGBT功率器件简介功率半导体器件（Power Electronic Device）又称为电力电子器件和功率电子器件，是用于电能变换和电能控制电路中的大功率电子器件。功率半导体大致可分为功率分立器件(Power Discrete)及功率集成电路(Powe...

英飞凌推出新型 IGBT，将总功耗降至最低水平 2015-11-11

德国慕尼黑 – 2015年2月6日 – 英飞凌科技股份公司（FSE：IFX/ OTCQX：IFNNY）近日推出新型低饱和压降VCE（sat） IGBT。此类IGBT 专门针对 50Hz 至20kHz 的低开关频率范围进行了优化。这个范围的开关频率常见于不间断电源（UPS）以及光伏逆变器和逆变焊机中。新 L5 系列基于 TRENCHSTOP™5 薄晶...

ADI推出ADuM4135隔离式IGBT栅极驱动器 2015-05-27

关键字：车载系统 Analog Devices, Inc.(ADI)，全球领先的高性能信号处理解决方案供应商，最近推出ADuM4135隔离式IGBT栅极驱动器，其可提高工业电机控制应用的电机能效、可靠性和系统控制性能。单封装ADuM4135集成ADI公司备受赞誉的iCoupler数字隔离器技术，通过成熟的电流隔离技术来确保安全性...

英飞凌推出新型低饱和压降VCE(sat) IGBT 2015-02-28

关键字：IGBT 光伏逆变器薄晶片技术英飞凌 2015年2月6日 – 英飞凌科技股份公司近日推出新型低饱和压降VCE(sat) IGBT。此类IGBT 专门针对 50Hz 至20kHz 的低开关频率范围进行了优化。这个范围的开关频率常见于不间断电源(UPS) 以及光伏逆变器和逆变焊机中。新 L5 系...

透过IGBT热计算来优化电源设计 2015-01-23

大多数半导体组件结温的计算过程很多人都知道。通常情况下，外壳或接脚温度已知。量测裸片的功率耗散，并乘以裸片至封装的热阻(用theta或θ表示)，以计算外壳至结点的温升。这种方法适用于所有单裸片封装，包括双极结晶体管(BJT)、MOSFET、二极管及晶闸管。但对多裸片绝缘栅双极晶体管(IGBT)而言，这种方...

透过IGBT热计算来优化电源设计 2015-01-20

大多数半导体组件结温的计算过程很多人都知道。通常情况下，外壳或接脚温度已知。量测裸片的功率耗散，并乘以裸片至封装的热阻(用theta或θ表示)，以计算外壳至结点的温升。这种方法适用于所有单裸片封装，包括双极结晶体管(BJT)、MOSFET、二极管及晶闸管。但对多裸片绝缘栅双极晶体管(IGBT)而言，这种方...

透过IGBT热计算来优化电源设计 2015-01-15

大多数半导体组件结温的计算过程很多人都知道。通常情况下，外壳或接脚温度已知。量测裸片的功率耗散，并乘以裸片至封装的热阻(用theta或θ表示)，以计算外壳至结点的温升。这种方法适用于所有单裸片封装，包括双极结晶体管(BJT)、MOSFET、二极管及晶闸管。但对多裸片绝缘栅双极晶体管(IGBT)而言，这种方...

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