瑞萨电子推出全新GaN FET，增强高密度功率转换能力， 适用于AI数据中心、工业及电源系统应用

基于成熟的SuperGaN技术，650V第四代增强型产品凭借卓越的热效率和超低功率损耗带来强劲性能 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能（AI）数据中心和服务器电源（包括新型... （来源：新品频道）

瑞萨电子GaN FETTP65H030G4PRSTP65H030G4PWSTP65H030G4PQS 2025-7-2 15:42