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SST第四代SuperFlash平台基于联电28HPC+制程投产

SST第四代SuperFlash平台基于联电28HPC+制程投产

当地时间1月15日，微芯科技（Microchip）旗下子公司 Silicon Storage Technology （SST，冠捷半导体）和晶圆代工厂联华电子（UMC）宣布，他们已完成 SST 嵌入式 SuperFlash® Gen 4 (ESF4) 的全面认证，并已在联电的 28HPC+ 代工工艺平台上投入生产，该产品具备完整的汽车级 1 级 (AG1) 性能。 ... （来源：新品频道）

SSTSuperFlash 2026-1-19 09:07

Deca与冠捷半导体（SST）达成战略合作 共同推进非易失性存储（NVM）芯粒解决方案

Deca与冠捷半导体（SST）达成战略合作 共同推进非易失性存储（NVM）芯粒解决方案

双方携手为客户打造以存储为核心的模块化基础架构，支持先进的多裸片架构设计   随着传统单片芯片设计的复杂度和成本不断攀升，小芯片技术在半导体行业的关注度和应用率也持续上升。Deca Technologies与Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）旗下子公司冠捷半导体（SST®）宣布达成... （来源：新闻频道）

非易失性存储 SuperFlash技术 2025-9-19 09:22

Microchip推出64兆位串行SuperFlash存储器，丰富旗下面向航天系统设计的COTS耐辐射器件产品阵容

Microchip推出64兆位串行SuperFlash存储器，丰富旗下面向航天系统设计的COTS耐辐射器件产品阵容

航天器系统设计人员非常需要缩短系统开发时间，并降低系统开发成本和风险。Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）提出从商用现货（COTS）器件开始，然后用宇航级等效耐辐射（RT）元件进行替换的理念。Microchip今日宣布扩展其基于商用现货技术的耐辐射SuperFlash®产品系列，将Microchip存... （来源：新品频道）

SuperFlash存储器Microchip 2022-4-22 10:57

Microchip推出 64 Mb并行SuperFlash闪存，丰富旗下应用于航天系统的COTS耐辐射产品阵容

Microchip推出 64 Mb并行SuperFlash闪存，丰富旗下应用于航天系统的COTS耐辐射产品阵容

为减少开发航天器系统的时间、成本和风险，设计人员可以在初始阶段使用商用现货（COTS），随后再将其替换为具有相同引脚分布、采用塑料或陶瓷封装的宇航级等效耐辐射器件。 Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布推出一款耐辐射的64兆位（Mbit）并行接口SuperFlash闪存器件，具有卓越... （来源：新品频道）

Microchip SuperFlashSST38LF6401RT 2020-12-17 17:01

Microchip推出模拟嵌入式SuperFlash技术，助力AI应用程序系统架构实施

Microchip推出模拟嵌入式SuperFlash技术，助力AI应用程序系统架构实施

Microchip的SuperFlashmemBrain™神经形态存储器解决方案可显著降低计算功耗，提升边缘AI推理能力随着人工智能（AI）处理从云端转移至网络边缘，电池供电的深度嵌入式设备在执行AI任务（如计算机视觉和语音识别）时正面临挑战。Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）通过旗下子公司冠捷半... （来源：新闻频道）

模拟神经网络处理器人工智能（AI） 2019-8-12 14:48

SST和SK hynix system ic合作扩大嵌入式SuperFlash技术的应用范围

领先的200 mm芯片生产商选择SST的SuperFlash技术用于110 nm CMOS工艺平台越来越多的集成电路（IC）设计人员希望找到方法，在实施低功耗、高耐用嵌入式闪存的同时保持较低的生产成本。Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）通过其子公司Silicon Storage Technology (SST)宣布与SK hynix system... （来源：新闻频道）

110 nm CMOS工艺平台 嵌入式SuperFlash技术 2018-12-13 10:22

Microchip推出4Mb和8Mb1．8V低功耗存储器SST26WF080B和SST26WF040B

Microchip推出4Mb和8Mb1．8V低功耗存储器SST26WF080B和SST26WF040B

Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）发布SST26WF080B 和 SST26WF040B新器件，扩展其1.8V Serial Quad I/O™（SQI）SuperFlash®系列存储器。新器件备有4 Mb和8 Mb两种存储容量，采用Microchip高性能SuperFlash技术制造，可提供业界最快的擦除时间和卓越的可靠性... （来源：新品频道）

Microchip低功耗存储器SST26WF080BSST26WF040BSuperFlash 2015-1-21 13:56

宏力半导体0.13微米嵌入式闪存成功量产

上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)，专注于差异化技术的半导体制造业领先企业之一，宣布其代工的0.13微米嵌入式闪存首个产品已成功进入量产阶段。 宏力半导体的0.13微米嵌入式闪存制程结合了其基于SST SuperFlash®(1)上已经量产的自对准分栅闪存技术和自身的0.13微米逻辑技术。闪存单元尺寸... （来源：新品频道）

SST SuperFlash闪存 2010-9-25 17:21

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