全球客制化存储芯片解决方案设计公司爱普科技今日宣布，其新一代PSRAM—ApSRAMTM (Attached-pSRAM)已通过客户平台验证，预计将于年底开始量产。ApSRAMTM为爱普科技虚拟静态随机存取存储芯片(PSRAM)再进阶版本，采用全新架构设计，专为边缘计算与物联网应用打造，提供低功耗、低延迟的高性能存... （来源：新闻频道）
爱普科技 ApSRAMTM存储 2025-9-10 09:04
紫光国芯近日官宣，其自主研发的 PSRAM（伪静态随机存储器）芯片系列产品正式发布。 此次上新的 PSRAM 产品兼容业界主流接口协议 Xccela，容量覆盖 32Mb、64Mb 和 128Mb，采用 BGA24L 超薄封装，同时也支持 KGD 产品形式。该系列产品可为物联网设备、穿戴电子产品和端侧 AI 产品打造存储解决方... （来源：新品频道）
紫光国芯PSRAM 2025-7-2 09:01
爱普 UHS PSRAM拥有更强性能、低功耗、少引脚数特点，瞄准物联网应用场景全球客制化存储芯片解决方案设计公司爱普科技与硅知识产权（SIP）、平台与IP设计服务供货商Mobiveil今日宣布，已成功开发出专属爱普的Ultra High Speed (UHS) PSRAM的IP控制器，为SoC业者提供一个更高性能、更低功耗的全新选... （来源：新品频道）
爱普科技 Mobiveil UHS PSRAM控制器 SOC 2024-6-7 09:33
IS32WV16100/200：高性能CMOS假静态RAM（PSRAM），结构为1Mbx16和1Mbx32，存取时间70ns，输入TTL电平兼容，输出是三态I/O，工作电压1.65-2.2V或2.2V-3.6V，待机电流60uA(16Mb)/70uA(32Mb),页工作模式，工业温度-40度C到85度C，48引脚FBGA封装（6x8mm），可用在下一代手机，无线和手持设备以及手提应用 （来源：下载频道）
网络资源 2007-9-27 10:58
M36P0R9070E0:512Mb闪存+128Mb PSRAM存储器子系统,工作电压1.7-1.95V,多片封装(MCP),具有电子签名(包括有制造商代码和器件代码),闪存同步/异步读取,同步突发读模式为108MHz或66MHz,随机存取时间93ns,采用缓冲器增强工厂编程命令的字编程时间为4us,多组存储器阵列,每组64Mb,安全性有2112位用户可编程OTP... （来源：下载频道）
网络资源 2007-9-27 10:54
M36P0R9060E0: :512Mb闪存+64Mb PSRAM存储器子系统,工作电压1.7-1.95V,多片封装(MCP),具有电子签名(包括有制造商代码和器件代码),闪存同步/异步读取,同步突发读模式为108MHz或66MHz,随机存取时间93ns,采用缓冲器增强工厂编程命令的字编程时间为4us,多组存储器阵列,每组64Mb,安全性有2112位用户可编程OT... （来源：下载频道）
11月29日讯,ST公司推出用于最新一代手机的基于NOR闪存的存储器子系统.这种单封装多片式子系统组合了ST新的单片256Mb 和512Mb NOR闪存器件以及假静态随机存取存储器(PSRAM)或低功耗同步动态随机存取存储器(LPSDRAM).采用ST的现代90nm工艺技术制造,新的NOR闪存存储器子系统有用于3G手机的更快的代码执行和... （来源：新品频道）
NOR闪存PSRAMLPSDRAM手机 2005-11-30 16:48
7月26日讯,Micron公司推出首个128Mb 突发CellularRAM器件MT45W8MW16BGX-706WT,它是当今市场上可用的一个128Mb突发模式假静态RAM(PSRAM).它采用Micron的革命性6F2 阵列结构技术生产的另一种存储器结构. Micron的128Mb突发CellularRAM器件目标应用在移动手持设备,能增加其性能.用来生产这种器件的单元结... （来源：新品频道）
存储器 2004-8-9 15:33
6月18日讯，ISSI公司(Integrated Silicon Solution, Inc)推出新型超低功耗假静态RAM(PSRAM)IS32WV16100 和IS32WV16200，其工作电压从2.3V到3.6V，结构为1Mx16和 2Mx16，很适合用在下一代手机以及无线手持设备和手提应用。 16Mb和32Mb器件的速度有70ns和100ns，非常低的待机电流(50uA)和工作电流(10mA)。... （来源：新品频道）
存储器器 2003-7-3 14:14
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