随着人工智能算力需求的持续攀升,高带宽内存(HBM)正加速向更多堆叠层数与更高运行速度迭代,但随之而来的发热问题也成为制约产品稳定性的关键瓶颈。 SK 海力士于 5 月 26 日宣布推出名为“iHBM”的控温散热存储技术,通过在高带宽内存封装内直接集成一体化冷却元件,从结构层面解决散热... (来源:新闻频道)
SK 海力士iHBM存储 2026-5-26 11:35
传统负压LDO在噪声、电源抑制比、电压、输出电流、静态电流和压差之间难以兼顾,工程师不得不在各个性能参数之间反复权衡。 共模半导体全新推出GM13011-微功率、低噪声、高压、大电流负压LDO。该器件支持-1.8V至-40V宽压输入,提供-2.5V、-5V、-12V固定高压输出选项。在1.5A满载下仍能稳定工作,能保... (来源:新品频道)
共模半导体LDO GM13011 2026-5-14 14:21
高功率半导体激光元器件及原材料、激光光学元器件、光子技术应用解决方案的全球供应商——炬光科技今日发布了LCS系列980/1470nm高功率低热阻低Smile传导冷却半导体激光器。凭借该产品卓越的性能和技术特点,炬光科技成功实现高功率半导体激光技术领域的又一次重大技术突破,为科研、激光装备... (来源:新品频道)
炬光科技 半导体激光器 2025-1-10 10:09
作者:杨勇前言功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识,相关标准和工程测量方法。上一篇讲了两种热等... (来源:技术文章频道)
功率器件 热设计 二极管 浪涌电流 2024-12-16 14:25
作者:陈子颖,来源:英飞凌工业半导体前言功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章将比较系统地讲解热设计基础知识,相关标准和工程测... (来源:技术文章频道)
功率器件 热设计 串联 并联 英飞凌 2024-11-1 10:40
作者: 陈子颖,英飞凌工业半导体前言功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识,相关标准和工程测量方... (来源:技术文章频道)
功率器件热阻 热设计 2024-10-31 10:05
新封装提供了更高的功率输出、便于光学检查、节省了系统成本,并提高了可靠性无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日推出两款新型 ICeGaN™ 产品系列 GaN 功率 IC 封装,它们具有低热阻并便于... (来源:新品频道)
CGD GaN 功率 IC 封装 2024-6-5 09:52
作者: 有田电源什么是热阻热阻(Θ)是指散热路径上的温升与流过同一路径的热量之比。用路径长度界限来描述,例如半导体器件的结点到外壳 (Θj-c)或结点到外围环境(Θj-a)之间的热阻。在单个半导体器件中,所有的热量都集中在温度相同的某一点(半导体芯片)耗散。热量从该点传到封装(或者外壳),然后传到... (来源:技术文章频道)
电源转换器热阻 基板式密封式 2024-5-24 15:03
如果给定 θ JC,我们就可以评估连接到散热器的封装的热性能。对于高效散热器,热流路径将由三个串联的热阻组成,如下所示: 带散热器的热电路模型。图片由英特尔提供。 这里,θ CS是外壳到散热器的热阻,θ SA是散热器到环境的热阻。系统的总结点至环境热阻 (θ JA ) 由下式给出:θ_{JA,系统} = θ_{JC}... (来源:技术文章频道)
散热器设计 2023-11-28 10:42
LED 和检测器 IC 的热阻测量图 1 显示了组件框图。这是一种具有两个热源的多芯片封装,应用线性叠加理论考虑相邻芯片对一个芯片的加热影响。这里,首先加热一个芯片,并在达到热平衡后记录所有芯片的温度。然后,加热另一个芯片并记录所有芯片温度。有了已知的环境温度、芯片结温和功耗... (来源:技术文章频道)
检测器 IC 热阻测量 2023-9-22 10:48