助力AI服务器与数据中心能效升级，大联大诠鼎携手东芝解读高效率电源转换方案

2026年6月22日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股旗下诠鼎集团宣布，携手全球功率半导体领导厂商东芝（Toshiba）成功举办“东芝高效率电源转换与功率组件应用”线上研讨会。本次会议聚焦东芝在硅基低压/高压MOSFET与SiC MOSFET的最新产品、应用重点及后续技术演进方向，并结合高功率应用的参考设计，协助工程团队更快落地、有效缩短开发周期。

当前，全球能源转型加速推进，电源技术正朝着更高能效、更高功率密度、更低综合成本的方向迭代升级。面对日益严苛的能效标准与更加紧凑的系统空间，功率器件的选型与拓扑设计已成为决定产品效能的关键分水岭。东芝的硅基半导体与SiC器件最新产品，为AI服务器、数据中心与工业电源带来了高功率密度与高效率设计的全新可能。

会上，台湾东芝电子零组件股份有限公司FAE经理叶侑哲（Peter Yeh）全面分享了对AI服务器趋势下设计思维的更新。他指出，为满足AI算力爆发带来的高功率密度需求，电源架构正加速向HVDC（高压直流）方向演进。东芝已制定清晰的功率器件发展路线图，依托自有设计与工艺能力，全面布局硅与碳化硅（SiC）全品类功率器件。

在低压MOSFET（LVMOS）部分，叶侑哲介绍了东芝的技术路线图及商业化时间表。针对40V和80V产品，东芝正通过下一代工艺追赶并超越竞争对手的最低导通电阻（Rdson）。他表示，U-MOS11-H 80V系列产品已上市，其中TPM1R408RH型号在Rdson与栅极电荷（Qg）等关键参数上表现优于竞品。该产品具备卓越的温度特性，在三款同类器件中综合性能最佳。

针对高压MOSFET（600V-650V），叶侑哲展示了DTMOSVI系列的设计理念与演进路线。该系列提高掺杂浓度以降低Rds(on)及缩小Die Size，显著提升了器件性能及竞争力，Rdson×Qgd指标已达业界先进水准。基于DTMOSVI 600V平台开发的高速恢复二极管型HSD系列，相比上一代在Qg、反向恢复电荷（Qrr）以及高温损耗方面均有明显改善。以DTMOSVI 600V HSD 58mΩ DFN8×8封装器件为例，尽管在输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）上略逊于某竞品第七代产品，但在Rdson、Qg、Qgd等关键效率指标上表现更为优异。

在备受关注的SiC领域，东芝披露了离散式SiC MOSFET的发展路线图。下一代沟槽栅MOSFET将以QDPAK封装为首...