1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7单管性能分析及其在T型三电平拓扑中的应用

关键词:储能系统二极管IGBT

时间:2023-10-27 09:53:14      来源:中电网

英飞凌TRENCHSTOP™ IGBT7系列单管具有两种电压等级(650V&1200V)和三个系列(T7,S7,H7)。其中,H7系列单管针对光储、UPS、EV charger、焊机等应用进行了专门的优化,并配备了全电流EC7 rapid二极管。凭借极低的开关损耗、导通损耗和丰富的产品系列,H7单管正在成为光伏和储能应用的新星。

英飞凌TRENCHSTOP™ IGBT7系列单管具有两种电压等级(650V&1200V)和三个系列(T7,S7,H7)。其中,H7系列单管针对光储、UPS、EV charger、焊机等应用进行了专门的优化,并配备了全电流EC7 rapid二极管。凭借极低的开关损耗、导通损耗和丰富的产品系列,H7单管正在成为光伏和储能应用的新星。

产品特点

按照应用需求去定义产品,去掉短路能力从而获得更低的开关损耗和导通损耗,如图1所示。完美适配于不需要短路能力的光储等应用。 1200V H7系列有四种封装,电流规格覆盖40A-140A。其中140A的电流规格为市场首发,如图2所示。而英飞凌上一代1200V 高速单管HIGHSPEED3 H3的最大电流规格仅为75A。 1200V H7全系列配置全电流规格的EC7 Rapid二极管,适配整流工况。 更强的防潮和抗宇宙射线能力。
英飞凌尊享客户信息登记表
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 图1 英飞凌不同1200V单管的开关损耗和导通损耗对比
 

产品系列

图2 1200V H7单管产品系列


标注:TO247-4pin assymetric为开尔文引脚、栅极引脚变细的TO247-4封装,有助于避免连锡、加强绝缘性能。

TRENCHSTOP™ IGBT7 H7

与HIGHSPEED H3对比

1200V HIGHSPEED3 H3 IGBT针对高频应用进行了优化,具有很短的拖尾电流和很小的关断损耗;因为采用了TRENCHSTOP™技术,其导通损耗也很低。因此,H3单管广泛应用于光伏、储能、UPS等领域。而1200V H7单管更近一步,表现出更优越的性能。

下图为IKW40N120H3和IKW40N120CH7的在相同条件下的双脉冲测试结果:

测试电压:600V 测试电流:20A 测试温度:室温25°C 栅极电阻:10Ω

图3 H3开通波形 @600V,20A,25°C
 

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