自从宽带隙材料被引入各种制造技术以来，通过使用MOSFET、晶闸管和 SCR等功率半导体器件就可以实现高效率。为了优化可控制造技术，可以使用特定的导通电阻来控制系统中的大部分功率器件。对于功率 MOSFET，导通电阻仍然是优化和掺杂其单元设计的关键参数。电导率的主要行业标准是材料技术中的特定导通电... （来源：技术文章频道）
SiC 功率二极管 宽带隙半导体器件 2023-4-12 10:17
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