MOSFET、IGBT和BJT等半导体器件的开关速度受到元件本身的电容的影响。为了满足电路的效率,设计者需要知道这些参数。例如,设计一个高效的开关电源将要求设计者知道设备的电容,因为这将影响开关速度,从而影响效率。这些信息通常在MOSFET的指标说明书中提供。 图1. 功率MOSFET的组件级电容 三端功率... (来源:技术文章频道)
MOSFET 高压CV测试 2024-6-7 15:12
只要问任何经验丰富的电气工程师——如我们今天故事里的教授 Gureux ——在 MOSFET 栅极前要放什么,你很可能会听到“一个约 100 Ω 的电阻”。虽然我们对这个问题的答案非常肯定,但你们或许会继续问——“为什么呢?他的具体作用是什么呢?电阻值为什么是 100 Ω 呢”年轻教授Neubean怀着好奇心对于通常... (来源:技术文章频道)
CDC同步器 MOSFET器件 MOS管栅极 2022-7-5 10:12
作者:James Victory现在介绍该模型的几个元素,如下所示。首先,我们讨论关键通道区域。这里我们使用著名的伯克利BSIM 3v3模型。只要有可能,我们就尽力不做重复工作。在本例中,我们尝试建模一个适合BSIM模型的MOSFET通道。该模型以物理为基础,通过亚阈值、弱反和强反准确地捕捉转换过程。此外,它具... (来源:技术文章频道)
碳化硅功率 MOSFET器件 2022-5-19 09:27
俗话说“人无远虑必有近忧”,对于电子设计工程师,在项目开始之前,器件选型之初,就要做好充分考虑,选择最适合自己需要的器件,才能保证项目的成功。功率MOSFET恐怕是工程师们最常用的器件之一了,但你知道吗?关于MOSFET的器件选型要考虑方方面面的因素,小到选N型还是P型、封装类型,大到MOSFET的... (来源:技术文章频道)
MOSFET器件 功率器件 2022-4-19 13:22
如今,以GaN和SiC为代表的第三代半导体技术风头正劲。与传统的半导体材料相比,GaN和SiC禁带宽度大、击穿电场强度高、电子迁移率高、热导电率大、介电常数小、抗辐射能力强……因此可实现更高的功率密度、更高的电压驱动能力、更快的开关频率、更高的效率、更佳的热性能、更小的尺寸,在高温、高频、高... (来源:技术文章频道)
GaN电源系统 集成驱动器 MOSFET器件 2022-3-1 11:17
俗话说“人无远虑必有近忧”。对于电子设计工程师,在项目开始之前、器件选型之初,就要做好充分考虑,选择Z适合自己需要的器件,才能保证项目的成功。功率MOSFET恐怕是工程师们Z常用的器件之一了,但你知道吗?关于MOSFET的器件选型要考虑各方面的因素,小到选N型还是P型、封装类型;大到MOSFET的耐压... (来源:技术文章频道)
功率MOSFETMOSFET器件 2021-11-3 10:08
多年来,半导体技术的发展已取得了令人瞩目的成果。当今的设备具有显着改善的性能,特别是在降低漏源导通状态电阻,降低栅极电荷和提高开关速度方面。整个系统的低功耗和高性能是当今竞争激烈的世界中的游戏名称。大多数功率MOSFET器件都用作高频应用中的开关,在这些应用中,开关速度是必不可少的应用... (来源:技术文章频道)
MOSFET器件 半导体技术 2021-8-6 09:47
Salvatore La Mantia1, Mario Pulvirenti2, Angelo G. Sciacca2,Massimo Nania2 意法半导体 摘 要本文将探讨如何在雪崩工作条件下评估SiC MOSFET的鲁棒性。MOSFET功率变换器,特别是电动汽车驱动电机功率变换器,需要能够耐受一定的工作条件。如果器件在续流导通期间出现失效或... (来源:技术文章频道)
MOSFET功率变换器 iC MOSFET器件 电动汽车驱动电机逆变器 2021-4-29 11:11
小到选N型还是P型、封装类型,大到MOSFET的耐压、导通电阻等,不同的应用需求千变万化,工程师在选择MOS管时,一定要依据电路设计需求及MOS管工作场所来选取合适的MOS管,从而获得最佳的产品设计体验。当然,在考虑性能的同时,成本也是选择的因素之一,只有高性价比的产品,才能让工程师设计的产品在品... (来源:技术文章频道)
MOSFETmos管雪崩 2020-10-22 10:12
在仪表和测量系统中广泛使用了平方根计算电路,例如:用于计算任意波形rms (均方根)等任务。因此,设计师需要有一种高效的模拟平方根计算装置。由于制造商常采用MOS技术制造IC,采用基于MOSFET的模拟平方根计算装置应该是很合适的。此设计实例就描述了一个这样的电路。该电路只采用MOSFET来提供平方根... (来源:技术文章频道)
MOSFET计算电路平方根 2020-8-13 09:58