本文要点• 超大规模集成电路 (Very large scale integration,VLSI) 是一种主流的集成电路 (IC) 设计模式。• 芯片尺寸微型化有助于降低单个晶体管的功耗,但同时也提高了功率密度。• 先进封装的低功耗设计趋势势头未减,而更新的技术有助于在不牺牲计算性能的情况下降低器件的功耗。... (来源:技术文章频道)
VLSI Cadence 集成电路 电源完整性 2024-9-6 10:52
在非常小的晶体管中,栅极氧化物可能只有几个原子厚。虽然这使得器件小型化,但也会由于电流隧道效应而导致泄漏。此外,随着设备老化,这种不理想的情况会变得更糟,因为氧化物会磨损。结果,阈值电压发生变化,这进一步增加了栅极泄漏。这种效应更显着的影响是晶体管失配或高漏电流会导致电路故障。氧... (来源:技术文章频道)
MOS晶体管 2023-12-5 10:17
由于碳化硅(SiC)器件的低导通损耗和低动态损耗,英飞凌CoolSiC™ MOSFET越来越多地被用于光伏、快速电动车充电基础设施、储能系统和电机驱动等工业应用。但与此同时,工程师也面临着独特的设计挑战。实现更小的外形尺寸,同时保持功率变换系统的散热性能,是相互矛盾的挑战,但英飞凌创新的.XT技... (来源:技术文章频道)
储能系统光伏系统电机驱动 2023-10-27 10:01
CoolSiC™ 碳化硅MOSFET集高性能、坚固性和易用性于一身。由于开关损耗低,它们的效率很高,因此可以实现高功率密度。但尽管如此,设计者需要了解器件的静态和动态性能以及影响它们的关键参数,以实现他们的设计目标。在下面的文章中,我们将为您提供更多关于这方面的见解。温度对CoolSiC™ ... (来源:技术文章频道)
SiC MOSFET CoolSiC 2023-10-26 10:43
众所周知,为了使晶体管更小,人们做了大量工作。然而,仍然需要对 VLSI 电路和模块进行相应的工作,以适应更小的设计。这些 VLSI 电路和模块可能很简单,只有几个逻辑门(包含两到四个晶体管),也可能是包含成千上万个晶体管的更大系统。相反,这些系统需要满足各种工作条件下的速度/延迟和功率要求。... (来源:技术文章频道)
VLSI 设计线性 RC 延迟模型 2023-4-23 11:20
作者简介André Lenze与Paul Salmen博士,英飞凌科技股份公司(德国瓦尔施泰因)引言过去几年,实际应用条件下的阈值电压漂移(VGS(th))一直是SiC的关注重点。英飞凌率先发现了动态工作引起的长期应力下VGS(th)的漂移现象,并提出了工作栅极电压区域的建议,旨在最大限度地减少使用寿命内的漂移。[1]。... (来源:技术文章频道)
CoolSiC MOSFET M1H 栅极开关 2022-6-20 10:48
功率转换器中越来越多地使用碳化硅(SiC)晶体管,这对尺寸,重量和/或效率提出了很高的要求。与双极IGBT器件相反,SiC出色的材料性能使它可以设计快速开关的单极器件。因此,现在仅在低压环境(<600 V)下才可能使用的解决方案现在也可以在更高的电压下使用。结果是最高的效率,更高的开关频率,更... (来源:技术文章频道)
碳化硅(SiC)晶体管 功率转换器 CoolSiC MOSFET技术 2021-9-18 13:59
随着业界不断转向可再生能源,人们越来越关注发电和储能技术,目的是更充分利用风能和太阳能等间歇性的能源供应。电池是常见的储能解决方案,在电动汽车市场技术进步的不断驱动下,储能成本正在下降。这为从家庭到公用事业的所有不同规模储能应用开辟了道路。随着能源供应模式转向可再生,传统的矿物燃... (来源:技术文章频道)
双向逆变器 CoolSiC TM MOSFET 碳化硅 2021-9-17 14:30
作者: 英飞凌科技高级应用工程师David Meneses Herrera,高级产品定义工程师 Nico F摘要双向功率转换器是可再生能源和电动汽车充电器中的关键部件。碳化硅开关能够实现先前技术无法达到的效率水平。太阳能和风能等可再生能源的存储越来越重要,而电池则是一种实用的储能解决方案。在电动汽车(EV)市场... (来源:技术文章频道)
双向功率转换器电动汽车充电器碳化硅开关SiC MOSFET 2021-9-16 11:20
电子器件向着小型化方向发展,GaN解决方案提供的高功率密度使器件尺寸变得更小,从而简化了设计过程中的布局并减少了损耗。宽带隙甚至可以在高温下运行。 GaN器件还可以以比其硅等效器件更高的频率工作,移动速度最高可快10倍。 英飞凌的总体战略是将当今的每一项尖端硅技术与宽带技术相集成。英飞凌... (来源:技术文章频道)
coolgan新型电源解决方案coolsic 2020-3-19 13:10