如今，围绕第三代半导体的研发和应用日趋火热。由于具有更大的禁带宽度、高耐压、高热导率、更高的电子饱和速度等特点，第三代半导体材料能够满足未来电子产品在高温、高功率、高压、高频等方面更高的要求，被认为是突破传统硅（Si）器件性能天花板的必由之路。氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）并称为第三... （来源：技术文章频道）
GaN器件 碳化硅 2024-10-25 10:25
作者：Bill Schweber尽管电池技术和低功耗电路不断取得进步，但对于许多应用来说，完全不依赖纯电池设计可能是不可行、不适用和无法接受的。医疗系统就属于这类应用。相反，设备通常必须直接通过 AC 线路运行，或至少在电池电量不足时连接 AC 插座即可运行。除了满足基本的 AC/DC 电源性能规范外，医用... （来源：技术文章频道）
GaN器件AC／DC电源 2024-1-22 10:21
2022年12月21日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1681控制器和NCP58921 GaN器件的500W服务器电源方案。 图示1-大联大友尚基于onsemi产品的500W服务器电源方案的展示板图 近年来，公有云、私有云市场的快速增长以及数据中心大量... （来源：技术文章频道）
NCP58921 GaN器件 500W服务器电源方案 2022-12-21 14:24
加贺富仪艾电子旗下代理品牌Transphorm是一家致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓（GaN）半导体功率器件的公司。宽泛的产品使用范围，使得Transphorm积累了不少使用者的提问及反馈，这里我们就分享一个“关于增强型器件和双芯片式常关型GaN FET”的问题，供大家在产... （来源：技术文章频道）
GaN FET GaN器件 2021-11-8 14:03
氮化镓(GaN)半导体的物理特性与硅器件不相上下。传统的电源供应器金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅极双极晶体管(IGBT)只有在牺牲效率、外形尺寸和散热的前提下才能提高功率密度。 使用GaN则可以更快地处理电源电子器件并更有效地为越来越多的高压应用提供功率。GaN更优的开关能力意味... （来源：技术文章频道）
GaN 5G 2020-12-18 10:07
氮化镓(GaN)半导体的物理特性与硅器件不相上下。传统的电源供应器金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅极双极晶体管(IGBT)只有在牺牲效率、外形尺寸和散热的前提下才能提高功率密度。使用GaN则可以更快地处理电源电子器件并更有效地为越来越多的高压应用提供功率。GaN更优的开关能力意味着它可... （来源：技术文章频道）
GaN FETGaN器件 2020-12-16 16:28
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型拓扑。GaN具有低寄生电容（Ciss、Coss、Crss）和无第三象限反向恢复的特点。这些特性可实现诸如图腾柱无桥... （来源：技术文章频道）
GaN器件开关电源直接驱动配置 2020-8-4 13:36
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