作者：郭道正职务：Achronix半导体中国区总经理近日举办的GTC大会把人工智能/机器学习（AI/ML）领域中的算力比拼又带到了一个新的高度，这不只是说明了通用图形处理器（GPGPU）时代的来临，而是包括GPU、FPGA和NPU等一众数据处理加速器时代的来临，就像GPU以更高的计算密度和能效胜出CPU一样，各种加速... （来源：技术文章频道）
人工智能 机器学习 FPGA Speedster7t Achronix 2024-4-17 14:19
UnitedSiC（现为Qorvo）扩展了其突破性的第4代 SiC FET产品组合, 通过采用TO-247-4引脚封装的750V/6mOhm SiC FET和采用D2PAK-7L表面贴装封装的9mOhm导通电阻，扩大了性能领先地位。 新型碳化硅 FET 采用标准分立式封装。提供业界额定值最低的 RDS（on），是同类产品中唯一提供5μs的可靠短路耐受时间额定... （来源：技术文章频道）
SiC－FET 碳化硅 2022-8-1 14:17
作者： Mike Zhu 简介本SiC FET用户指南介绍了使用含快速开关SiC器件的RC缓冲电路的实用解决方案和指南。该解决方案经过实验性双脉冲测试（DPT）结果验证。缓冲电路损耗得到精确测量，可协助用户计算缓冲电路电阻的额定功率。本指南还在UnitedSiC_AN0018《开关含缓冲电路的快速SiC FET应用说明》中分析... （来源：技术文章频道）
SiC器件 SiC FET RC缓冲电路 2022-5-9 09:53
作者：Achronix资深应用工程师 黄仑1. 概述为了适应未来硬件加速、网络加速对片外存储器的带宽需求，目前市面上的高端FPGA主要采用了两种解决方法。第一种最常见的就是HBM2高带宽存储器，2016年1月，HBM的第二代技术HBM2正式成为工业标准。集成了HBM2存储器的高端FPGA可以提供高达460GB/s的带宽，但是因... （来源：技术文章频道）
Speedster7t FPGA芯片GDDR6控制器 2021-11-23 11:18
日前，UnitedSiC宣布发布仅为6mΩ导通电阻（RDS(on)）的SiC器件，从而响应了电源设计人员对更高性能、更高效率的SiC FET的追求。同时UnitedSiC还宣布了一系列不同导通电阻的SiC器件，从而满足客户的多元化需求。这也是2020年UnitedSiC发布首款第四代SiC FET之后的一次重大更新。UnitedSiC亚太区销售副总... （来源：技术文章频道）
SiC器件 UnitedSiC 2021-9-29 14:51
作者: UnitedSiC工程副总裁Anup Bhalla虽然电子器件带来的功能似乎没有止境，但是数字和模拟器件的集成器件制造商（IDM）仍然不得不在所用材料的物理限制内设计解决方案。由于半导体发展大趋势和终端市场带来的需求，随着时间推移，管理产品的热密度变得越来越重要。 一般而言，热管理管理的是二极... （来源：技术文章频道）
功率半导体银烧结技术 2021-3-3 13:47
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