作者：Pete LoseeSiC FET在共源共栅结构中结合硅基MOSFET和SiC JFET，带来最新宽带隙半导体技术的性能优势，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET现可采用表面贴装TOLL封装，由此增加了自动装配的便利性，同时减少了元件尺寸，并达成出色的热特性，在功率转换应用中实现了功率密度最大化和系统成本最... （来源：技术文章频道）
SiC－FET TOLL封装 碳化硅 2023-9-8 11:13
2022 年 12 月 6 - 7 日，中国电工技术学会低压电器专业委员会第二十一届学术年会、第十七届中国智能电工技术论坛暨固态新型断路器技术发展及应用国际研讨会（第二季）于江苏常州顺利召开。作为一场行业盛会，该会议主要围绕固态/混合式新型断路器的最新技术、前沿标准、全新检测业务方向等相关解决方案... （来源：技术文章频道）
电路保护SiC－FETs 2022-12-28 17:02
如果询问任何功率电子器件设计师他们追求什么，转换效率通常都会名列前茅。高效率不仅能节能，还有附带好处，即打造更小、更轻、更便宜的产品，而释放的空间还可用于提高可靠性和增加功能。实际上有些应用受益匪浅，如电动车，它的单次充电行驶里程会有所提高，还有数据中心，其中的电子器件和必要空调... （来源：技术文章频道）
功率转换 SiC－FET 2022-9-30 10:48
UnitedSiC（现为Qorvo）扩展了其突破性的第4代 SiC FET产品组合, 通过采用TO-247-4引脚封装的750V/6mOhm SiC FET和采用D2PAK-7L表面贴装封装的9mOhm导通电阻，扩大了性能领先地位。 新型碳化硅 FET 采用标准分立式封装。提供业界额定值最低的 RDS（on），是同类产品中唯一提供5μs的可靠短路耐受时间额定... （来源：技术文章频道）
SiC－FET 碳化硅 2022-8-1 14:17
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