三星电子公司近日宣布在大容量存储器芯片开发上取得重大进展，开发出业界首款使用50纳米制造工艺生产的4Gb DDR3 DRAM芯片。 随着越来越多的数据中心正在寻求减少服务器数量的方法，低功耗4Gb DDR3的开发成为降低数据中心成本、提高服务器时间管理效能和增加总体效率的关键。 对于新一代的“绿色”服务... （来源：新品频道）
三星高密度DRAM4Gb DDR3 2009-2-6 13:29
搜索到1条【dram芯片】相关的新品。
搜索到1条【dram芯片】相关的新品。
查看关键词的分类频道
